1) direct current-radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (DC-RF PECVD)
直流-射频等离子化学气相沉积
2) DC-RF-PECVD
直流射频等离子增强化学气相沉积
1.
Diamond-like carbon films were successfully deposited on Si substrate by direct current radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (DC-RF-PECVD).
利用直流射频等离子增强化学气相沉积技术在单晶硅表面制备了类金刚石碳薄膜。
3) direct current radio frequency plasma chemical vapour deposition
直流射频等离子体化学气相沉积
4) DC arc plasma jet CVD
直流电弧等离子喷射化学气相沉积
5) DC-arc plasma jet CVD
直流电弧等离子体喷射化学气相沉积
1.
In order to synthesize high quality surface acoustic wave devices and explore the deposition process of diamond films,large-area high-quality diamond films were deposited on silicon substrate by DC-arc plasma jet CVD.
为制备高质量的声表面波器件,探索金刚石薄膜的沉积工艺,采用直流电弧等离子体喷射化学气相沉积技术和特殊的复合衬底技术,在单晶硅衬底上制备了大面积、高质量的金刚石薄膜,成功解决了单晶硅衬底在沉积金刚石薄膜过程中产生的变形问题。
6) RF-PECVD
射频等离子体增强化学气相沉积
1.
The a-C:H films were grown by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD) on the transition layer coated stainless steel substrates.
本文利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以CH4、H2为气源,Ar为稀释气体,通过增加过渡层和改变输入功率和气体成分比例(CH4/H2),在不锈钢基底上制备了含氢非晶碳膜(a-C:H)。
补充资料：等离子化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：PCVD 化学气相沉积(CVD)法是制备无机材料，尤其是无机薄膜和涂层的一种重要手段。用等离子辅助CVD，可在较低的温度下沉积，涂层均匀不剥落。
CAS号：
性质：PCVD 化学气相沉积(CVD)法是制备无机材料，尤其是无机薄膜和涂层的一种重要手段。用等离子辅助CVD，可在较低的温度下沉积，涂层均匀不剥落。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条