1) rectangular barrier
矩形势垒
1.
Transfer matrix method in the study of quantum transmission for rectangular barrier;
传递矩阵方法与矩形势垒的量子隧穿
2.
A formal solution for the wave functions of the tunneling electrons through a rectangular barrier under the electric field is given.
给出了在矩形势垒区存在电场作用时,隧穿电子波函数的形式解。
2) nucleation barriers
形核势垒
4) fractal potentail barrier
分形势垒
5) rectangular potenrtial barrier
抛物形势垒
6) trapezoidal barrier parameters
梯形势垒参数
补充资料:pn结势垒(barrierofp-njunction)
pn结势垒(barrierofp-njunction)
pn结的空间电荷区中,存在由n边指向p边的自建电场。因此,自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域,载流子的能量低于势垒高度,就被势垒阻挡而不能前进,这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外,还有金属与半导体接触的接触势垒(肖特基势垒)、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响,当外加电场削弱势垒区中电场时,势垒降低,载流子容易通过;外加电场加强势垒区的电场时,势垒高度升高,载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条