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1)  Varactor [英][və'ræktə]  [美][və'ræktɚ, væ-]
变容管
1.
The Determination of Design Parameter of Hyperabrupt Varactors by Having Known CV Characteristic;
根据已知C-V特性确定超突变结变容管设计参数的方法
2.
A novel configuration of a MOS varactor is designed for good linearity of Kvco,as well as a new digital capacitor controlled array topology with lower parasitic capacitance and lower Ron.
通过改变MOS变容管的接入方法实现了更好的压控增益线性度,并采用了新的低寄生电容、低导通电阻的数控电容阵列结构来补偿工艺变化带来的频率变化。
3.
The VCO uses the MOS transistors and capacitors to form the equivalent varactor,takes low-voltage and low-power into account and uses only one spiral inductor on chip in order to minimize the size of die.
采用MOS晶体管和电容组合来实现等效变容管 ,为降低芯片面积仅使用一个片上螺旋电感 ,并实施了低电压、低功耗的措施 。
2)  MOS varactor
MOS变容管
1.
A modeling methodology for MOS varactor was presented for applications at millimeter-wave frequencies.
提出了应用于毫米波段的MOS变容管的建模方法。
2.
A conventional MOS transistor is modified to an accumulation-mode MOS varactor.
25μmCMOS工艺,将一个普通MOS管改进为工作在积累区的MOS变容管,实现了一工作于2。
3)  Si Varactor
硅变容管
4)  BZN varactor
BZN变容管
1.
This dissertation researches on VCO in X-band and tunable bandstop filte tuned by BZN varactor.
本文研究了基于BZN变容管调谐而设计的X波段的VCO和调谐带阻滤波器,利用分布参数和半分布参数的思想设计VCO,并对比了这两种结构的相位噪声和调谐率,通过带阻滤波器和低通原型滤波器之间的变换关系设计出带阻滤波器,并在微带电路中采用BZN变容管实现中心频率的变化。
5)  varactor diode
变容二极管
1.
Using the periodical surface′s character of band gap and impedance transition of electromagnetic crystal structure such as photonic band gap(PBG),frequency selection surface(FSS),high impedance surface(HIS) and so on,the varactor diode was put onto the approximate HIS′s surface to join each cell of metal on top layer to realize the electronic control for periodical structure.
利用如光带隙电磁结晶结构、高阻抗结构等周期性结构的带隙特性和阻抗特性,通过在类似高阻抗表面的周期性金属单元表面铺设有源器件———变容二极管,控制周期性结构的性能,建立有源周期性结构,影响入射电磁波的传播特性,实现对反射波束的指向的有源控制和有效改变。
2.
In this method, the capacitance of the varactor diode is changed by voltage.
文章详细介绍了一种225MHz-400MHz压控调谐滤波器的实现方法,该方法主要是通过电压改变变容二极管的电容,从而改变带通滤波器的中心频率,从而实现压控滤波。
3.
In this paper,the design principles and methods of the super-abrupt junction GaAs varactor diode has been discussed.
本文详尽地讨论了砷化镓超突变结变容二极管的设计原理和方法。
6)  Variable Capacitance Diode
变容二极管
1.
The Pre-condition for Variable Capacitance Diode Frequency Modulator Obtaining the Linear Frequency Modulation;
变容二极管调频器获得线性调频的条件
2.
It is confirmed by electrical measurements of I-V,C-V,C-f,and deep level transient spectrum that this is a variable capacitance diode of linear slowly varied heterojunction.
采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管———Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si∶H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构。
补充资料:像增强管与变像管
      像增强管是将微弱的可见光图像增强,使之成为明亮的可见图像的真空电子器件。变像管是将不可见光的图像变成可见图像的真空电子器件。在像增强管和变像管中,当外来辐射图像成像于光电阴极时,光电阴极发射电子,电子经加速或经电子透镜聚焦并加速后,轰击荧光屏使之产生较亮的可见图像。
  
  1934年,G.霍尔斯特等人制出第一只红外变像管。工作时,在平面阴极与平面荧光屏之间加高电压,阴极与荧光屏距离很近。这是一种近贴聚焦系统。此后又出现静电聚焦和电磁聚焦的成像系统。
  
  单级像增强管的亮度增益通常在 50到100倍之间。采用纤维光学面板作为输入和输出窗口,可以把像增强管级联起来。三级级联的像增强管可获得104到105倍的亮度增益。级联像增强管配上物镜、目镜和电源后即成为夜间观察仪器,可用于军事、天文、医学、特殊照相、动物夜间习性观察、夜间监视等。这种可级联的像增强管称为第一代微光管,体积较大,且防强光能力差。在静电聚焦或近贴聚焦系统中加入一块微通道板,使单管达到104倍的亮度增益,就成为第二代像增强管(图1, 图2)。微通道板实际上是一个次级发射电流放大器。它是由几十万?良赴偻蚋招牟A孔槌傻恼罅校扛招牟A慷季哂幸欢ǖ牡绲悸屎痛笥? 1的次级发射系数。微通道板两端面涂有电极,可加600~1000伏的电压。光电子进入微通道板后,通过倍增作用,使电流放大1000~3000倍。其输出电子经加速后轰击荧光屏,显示出可见光图像。
  
  在平面阴极和平面荧光屏之间加微通道板的双近贴式微光管没有倒像作用。通常采用 180°扭转的纤维光学面板,把由物镜形成的倒立像再颠倒过来,从而得到正立的图像。这类微光管一般采用厚多碱光电阴极,以提高红光和近红外区域的灵敏度。采用灵敏度更高的Ⅲ-Ⅴ族负电子亲和势光电阴极,即为第三代像增强管。
  
  红外变像管通常采用对红外敏感的半透明银氧铯光电阴极。用红外变像管可以制成红外望远镜。
  
  人眼只能感受范围很窄的电磁辐射(即可见光)。一些物质可将紫外线、X射线、γ射线等转换成可见光,可称为转换物质。应用变像管原理,在阴极基底上制作转换物质层和光电阴极,就能制成对某种射线敏感的变像管。例如转换材料是X射线荧光屏或CsI(Na)层,可制成X射线增强管。如果转换材料是闪烁晶体,可制成γ射线变像管。这种方法还可以推广应用于 α射线、β射线和中子辐射。例如利用中子源和中子变像管可以检查大型金属铸件中的缺陷。
  

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条