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1)  inhomogeneous magnetic films
非均匀磁性薄膜
1.
The 4 order critical temperature(L), displacement index λ and the coherent critical indexνof inhomogeneous magnetic films are calculated in Heisenberg model and Ising model respectively by means of the variational cumulant expantion (VCE) method.
非均匀磁性薄膜,采用变分累积展开(VCE)方法,分别对海森堡(Heisenberg)模型及伊辛(Ising)模型,计算了四阶临界温度(L),位移指数λ,及相干临界指数ν,得到νI=0。
2)  film uniformity
薄膜均匀性
1.
The film uniformity plays an importance role in the manufacturing of the optical.
薄膜均匀性在光学、光电及微机电系统(MEMS)等器件的加工工艺中起着不可估量的作用。
2.
The film uniformity is an significant reflection of the film quality and the equipment performance.
薄膜均匀性是衡量薄膜质量和镀膜装置性能的一项重要指标,它在光学、光电等器件的加工工艺中发挥着重要作用。
3)  thin film thickness uniformity
薄膜厚度均匀性
1.
Magnetron sputtering coating is one of the indispensable technologies of modern industry,which is widely applied in electronics,construction,automobiles and other industries,especially the large area deposition,and more and more attention is paid to thin film thickness uniformity,deposition ratio,utilization ratio of target material and other problems in coating industry.
镀膜工艺中的薄膜厚度均匀性,沉积速率,靶材利甩率等方面的问题是实际生产中十分关注的。
4)  homogeneous coatings
均匀薄膜
1.
So it was divided into many homogeneous coatings with discrete refractive index.
基于傅里叶变换合成法的基本原理,合成了一个K9基底上的负滤光片,合成的渐变折射率薄膜具有期望光学特性,但实际制备难度很大,因此将其细分为足够多层离散折射率的均匀薄膜,由于实际薄膜材料种类有限,不能获得任意折射率膜层,鉴于两层高低折射率薄层可近似为一层中间折射率膜层的思想,将膜系转化成一个可实际制备的膜系结构:膜系采用ZrO2和SiO2两种膜料,膜层总数为183层,经单纯形调法优化后,膜层总厚度为7。
5)  inhomogeneous coating
非均匀膜
6)  metallic thin film/non-magnetism
金属薄膜非磁性
补充资料:磁性材料2.薄膜磁性材料


磁性材料2.薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film

在一定外加磁场作用下,其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看,这些柱形畴好像浮着的一群圆泡,故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下,可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失,实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m),每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕,因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发,已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌,磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小,2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看,以铁氧体磁泡材料比较成熟,早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料,后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜,其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol,的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度,~p,K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│41000 ││ │ (ZMHz) │ (20MHz) │└────────┴──────┴────────┘·3.磁光材料呻〕 当前所用的磁光材料是利用磁光效应制作的磁性材料。
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