1) composite functional material
复合功能材料
1.
The processing has been developed for the deposition of semiconductors,superconducting oxides,conducting polymers and a number of composite functional materials.
本文结合作者正在开展的研究工作，综述近年来电化学技术在半导体薄膜、氧化物超导薄膜、导电聚合物以及复合功能材料制备中的应用。
2) functional composites
功能复合材料
1.
Fabrication of hypereutectic MnBi/Bi magnetic functional composites by solidification in a magnetic field;
磁场凝固法制备过共晶MnBi/Bi磁性功能复合材料
2.
This paper made systematic introduction to the definition of the functional composites, the basic composition, the performance characteristics and their relative application fields of the micro-wave composite, the artificial materials, the stealth composites, the functional gradient composites and other type of functional composites.
本文对功能复合材料的定义、透波功能复合材料、人工介质材料、隐身功能复合材料、梯度功能复合材料以及其他功能复合材料的基本组成、性能特点和应用领域进行了较为系统的介绍。
3) functional composite
功能复合材料
1.
The application progress,dielectric mechanism,choice of raw materials and preparation process are reviewed for inorganic/organic functional composites with high dielectric constant at high temperature.
综述了高温高介的无机/有机功能复合材料的应用、近期研究状况、高介机理、原材料选择以及制备过程等重要问题。
2.
Photonic crystal is a functional composite material,which is made of two or more kinds of transparent materials periodically.
光子晶体是由两种或两种以上的透明材料周期排列构成的功能复合材料,它可以完全反射一定频率范围内的电磁波,这个性能称为光带隙。
3.
The classifications of the functional composites are introduced and the development of piezoelectric,conductive, magnetic and nano-functional composites is also discussed in this paper.
介绍了功能复合材料的分类,重点评述了压电复合材料、导电复合材料、磁性功能复合材料和功能纳米复合材料的研究现状和发展动态,展望了功能复合材料的应用前景。
4) opticalfunctional composite
光功能复合材料
5) optical function composite
复合光功能材料
补充资料：半导性功能复合材料
分子式：
CAS号：
性质：具有半导性功能的超薄多层复合材料，也是近年来迅猛发展的材料。这是因为分子束外延(MBE)技术的进步已可把薄膜厚度的控制发展到原子层水平。直接在硅衬底上生长砷化镓及其有关化合物的极性扫E极性复合半导体异质结已经获得成功并已制成优质的器件。另外用先进的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)法可以在GaAs衬底上生长出CdTe薄膜单晶，也可以制备GaAs/A1GaAs/GaAs多层复合结构的半导体材料。这些半导性功能复合材料的优点在于具有范围较宽的禁带和迁移率，能满足某些半导体技术上的要求，例如制造霍尔效应的器件以及微波器件。目前正在发展绝缘体-半导体、金属-半导体等复合体系。
CAS号：
性质：具有半导性功能的超薄多层复合材料，也是近年来迅猛发展的材料。这是因为分子束外延(MBE)技术的进步已可把薄膜厚度的控制发展到原子层水平。直接在硅衬底上生长砷化镓及其有关化合物的极性扫E极性复合半导体异质结已经获得成功并已制成优质的器件。另外用先进的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)法可以在GaAs衬底上生长出CdTe薄膜单晶，也可以制备GaAs/A1GaAs/GaAs多层复合结构的半导体材料。这些半导性功能复合材料的优点在于具有范围较宽的禁带和迁移率，能满足某些半导体技术上的要求，例如制造霍尔效应的器件以及微波器件。目前正在发展绝缘体-半导体、金属-半导体等复合体系。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条