1) non-linear/equivalent linearity
非线性/等效线性化
2) equivalent linear method
等效线性化
1.
Summarization on equivalent linear method of seismic responses for soil layers;
土层地震反应等效线性化方法综述
2.
It also researches equivalent linear method of bilinear mode under the acting of simple harmonic load and earthquake load.
文章还研究了双线型模型在简谐荷载和地震荷载作用下的等效线性化方法,同时提出了在地震作用下峰值等效的两点等效方法。
3.
This paper showed the theory background of equivalent linear methods considering frequency dependent soil properties and proposed a new method.
工程场地非线性地震反应分析中,等效线性化方法的原理相对简单、参数获取方便而得到广泛应用。
3) equivalent linearization method
等效线性化
1.
The equivalent linearization method is widely used in nonlinear dynamics, especially for qualitative analysis.
提出了一种改进的等效线性化方法。
4) equivalent linearization
等效线性化
1.
Study of equivalent linearization methods for inelastic analysis of structures;
结构弹塑性等效线性化方法的研究
2.
Marc,DuncanChang model for static nonlinear elastic analysis and equivalent linearization model for nonlinear dynamic analysis of multi-layer soils are added,and two examples are calculated to verify the reliability of the redevelopment.
HYPELA,添加了多层土的静力Duncan-Chang本构关系模型和动力等效线性化本构关系模型,并通过两个算例验证了本文二次开发的可靠性。
3.
The precision of eight existing equivalent linearization methods to be used to obtain the input energy spectra is evaluated by time history analysis using 40 earthquake records from different sites.
选择了被认为精度较高或者有关规范中建议的8种等效线性化方法,以4种场地土条件下40条强震记录为输入,通过时程分析方法对各种等效线性化方法计算弹塑性SDOF系统能量谱的精度进行了分析。
5) equivalent nonlinearization method
等效非线性化方法
1.
In this paper, a new equivalent nonlinearization method is developed and used in analysing the response of nonlinear systems to Gaussian white noise excitation.
本文提出了分析非线性系统随机响应的一种新的等效非线性化方法。
6) nonlinear equivalent stress
非线性等效应力
1.
The concept of nonlinear equivalent stress is proposed in this paper to solve the problem of corner stress of gravity dam near the base surface.
针对重力坝建基面角缘应力问题提出了非线性等效应力的概念。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条