1) Wide-gap emitter
宽带隙发射区
3) Broad emission band
宽发射带
5) direct bandgap light emission
直接带隙光发射
6) Bandwidth of transmitting sensitivity
发射响应带宽
补充资料：宽带隙半导体（wide-bandsemiconductor）
宽带隙半导体（wide-bandsemiconductor）
室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。
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参考词条