1) N-semiconductor oxide
N-型氧化物半导体
2) n-type metal oxide semiconductor field effect transistor
n型金属氧化物半导体场效应晶体管
1.
Non-Gaussianity of noise in n-type metal oxide semiconductor field effect transistor
n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究
3) High Voltage NMOS
高压N型金属-氧化物-半导体
4) N-MOS N C Metal Oxide Semiconductor
N型金属氧化物半导体(电路)
5) p-type transparent oxides semiconductor
p型透明氧化物半导体
6) semiconductor oxide
半导体氧化物
1.
This paper in- troduces the structure,preparation methods and properties of the graphite oxide at first,and then it focuses on the re- search progress in the preparation of the polymers/GO intercalating nano composites and inorganic materials/GO in- tercalating nano composites,especially focusing on the semiconductor oxide/GO nano composites.
介绍了氧化石墨的结构、制备方法和性质;重点论述了聚合物/氧化石墨插层纳米复合材料和无机物/氧化石墨插层纳米复合材料的制备研究进展,介绍了半导体氧化物/氧化石墨插层纳米复合材料。
2.
The future trends of semiconductor oxide photocatalysts were pointed out.
综述了ZnO,SnO2,In2O3和WO3等简单氧化物光催化材料和以TiO2为基础的复合氧化物及其他钙钛矿型复合氧化物光催化材料的研究现状,指出了半导体氧化物光催化剂的未来研究方向。
补充资料：n型氧化物
分子式：
CAS号：
性质：以电子作为载流子传导电荷的一类金属氧化物，其中的金属与氧的原子数目比不是严格按照其化学计量式之比，而是金属原子数目略多。n型氧化物中存在两种类型的结构缺陷，一种是间隙金属离子，另一种是氧离子空位。这类氧化物包括MgO、CaO、CeO2、TiO2、ZrO2、V2O5、Nb2O5、MoO3、WO3、MnO2、Fe2O3、ZnO、Al2O3、SiO2等。
CAS号：
性质：以电子作为载流子传导电荷的一类金属氧化物，其中的金属与氧的原子数目比不是严格按照其化学计量式之比，而是金属原子数目略多。n型氧化物中存在两种类型的结构缺陷，一种是间隙金属离子，另一种是氧离子空位。这类氧化物包括MgO、CaO、CeO2、TiO2、ZrO2、V2O5、Nb2O5、MoO3、WO3、MnO2、Fe2O3、ZnO、Al2O3、SiO2等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条