2) scanning Auger microscopy
扫描俄歇显微术
3) Auger scanning microscopy
俄歇扫描电子显微术
4) Auger analysis
俄歇分析
1.
Using the diffusion of galium in SiO_2/Si series,Auger analysis of gallium-diffused silicon wafer is made.
采用Ga在SiO2 /Si系扩散途径 ,对扩Ga硅片进行了俄歇分析 ,在p型区未发现重金属杂质 ,表明热氧化SiO2层对外来重金属有良好的屏蔽作用 ,而且有利于提高硅器件的电参数性能、稳定性和可靠性 。
2.
The arsenic layer of about 10nm deposited on the bubble surface of GaAs that was grown under microgravity condition has been measured by Auger analysis.
在空间生长SI GaAs的某些部位有汽泡产生 ,经俄歇分析 ,汽泡表面约有 1 0nm的砷层 ,它从半绝缘砷化镓内部逸出 ,导致其成为半导体。
5) AES depth profile
俄歇能谱深度分布
1.
Effect of rapid thermal annealing on Ti/Al-GaN contacts is investigated by I-V measurements and AES depth profile.
利用伏安特性和俄歇能谱深度分布研究了快速热退火对 Ti/ Al- Ga N接触的影响 ,氮气中 6 0 0℃退火 6 0 s可以获得欧姆接触 。
6) Auger mapping
俄歇元素面分布扫描
补充资料：歇后
【诗文】：
面作天地玄，鼻有雁门紫。既无左达承，何劳罔谈彼。
【注释】：
【出处】：
全唐诗：卷869-31
面作天地玄，鼻有雁门紫。既无左达承，何劳罔谈彼。
【注释】：
【出处】：
全唐诗：卷869-31
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