1) Pulsed ion implantation
脉冲离子注入
2) Ion beam recoil pours
离子束反冲注入
3) pulse injection
脉冲注入
1.
Single event transient(SET)pulse injection with independent current source in a circuit simulator will introduce great error.
超深亚微米工艺下在电路模拟器中使用独立电流源方法的单粒子瞬态(single event transient,SET)脉冲注入与实验结果有很大误差。
2.
A method based on pulse injection was put forward to test the light-current-voltage(LIV) characteristics of laser diode(LD),and a new type of pulse measurement system was developed.
为精确测试半导体激光器(LD)的光功率-电流-电压(LIV)特性,提出一种基于脉冲注入调制的方法,并据此研制新型的LD脉冲测试系统。
3.
By means of pulse injection,the relation between lasing wavelength and chip temperature of distributed feedback laser(DFB-LD) has been obtained.
利用脉冲注入法测量了分布反馈激光器(DFB-LD)芯片温度与激射波长的关系。
5) ion implantation
离子注入
1.
Study on characteristics and technology of ion implantation-assisted electroless copper plating films on Al_2O_3 ceramics;
离子注入辅助Al_2O_3陶瓷表面化学镀镀层特性研究
2.
Application of ion implantation and D-gun spraying technology to improve Operation life for jet element of fluid efflux hammer;
应用离子注入和爆炸喷涂技术提高液动锤射流元件寿命
3.
Application of low energy ion implantation in breeding of high yield CGTase strains;
低能离子注入在CGTase高产菌株选育中的应用
6) Ion-implantation
离子注入
1.
Substituting Epitaxy by Ion-implantation in the Production of Microphone Devices;
改用离子注入替代外延生产话筒管
2.
Study on ion-implantation induced intermixing effect of quantum well by using photoluminescence spectroscopy;
离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究
3.
Using single energy or overlapped energy ion-implantation technology,a modified layer was formed after C ions implanted into uranium.
利用离子注入技术,分别采用单能量和多能量叠加注入方式在铀表面注入碳形成表面改性层,并对改性层的形貌、注入元素的分布和相结构分别进行扫描电镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)及表面相结构衍射谱(XRD)分析,利用电化学极化法测试注入样品的抗腐蚀性能。
补充资料：离子注入（ionimplantation）
离子注入（ionimplantation）
用离子加速器将各种离子注入半导体材料，从而改变半导体材料的电学、光学或其他物理性质的半导体工艺技术，称为离子注入技术。自从20世纪70年代以来离子注入技术在半导体器件制备工艺中获得了广泛应用，是半导体器件工艺的最主要技术之一。
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参考词条