1) CrSi
铬硅
2) chromosiliconizing
铬硅共渗
1.
Improving Corrosion resistance of Cast Iron by Solid-Gas Chromosiliconizing;
用固气法铬硅共渗提高铸铁的耐蚀性能
2.
In this paper the microstructure and wear resistance of the chromosiliconizing layer on 20 steel with pre-carbonizing were studied.
对 2 0钢预渗碳后固体法渗铬和铬硅共渗渗层的组织和耐磨性进行了试验研究 ;结果表明 ,2 0钢预渗碳后在 940℃下进行铬硅共渗时可以获得均匀致密的渗铬层 ;与普通渗铬层相比较 ,其耐磨性提高 1倍。
3.
The result of thermodynamic calculations showed that Si takes precedence in entering the surface of cast iron at the beginning of chromosiliconizing, which has a good effect on later diffusion of Cr atoms.
通过热力学分析和计算 ,表明固气法铬硅共渗过程初期以硅的渗入为主 ,硅的优先渗入为随后铬的扩散创造了条件。
3) chrome silica brick
铬硅砖
4) Chromoaluminosiliconizing
铝铬硅共渗
5) Fe-Cr-Si inter-metallic
铁铬硅化合物
6) Cu-Cr-Si catalysts
铜铬硅催化剂
参考词条
补充资料：铬硅电阻薄膜
分子式：
CAS号：
性质：以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构，可得到各种电性能材料。如随铬增加，电阻率下降，电阻温度系数可从负数逐渐变到正值，一般方阻3～5kΩ，电阻温度系数(100～150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取，主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
CAS号：
性质：以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构，可得到各种电性能材料。如随铬增加，电阻率下降，电阻温度系数可从负数逐渐变到正值，一般方阻3～5kΩ，电阻温度系数(100～150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取，主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。