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1)  polycrystal GaAs film
多晶砷化镓薄膜
2)  polycrystalline GaAs
砷化镓多晶
3)  GaAs single crystal
砷化镓单晶
1.
Plastic deformation induced by indentation in a GaAs single crystal was investigated using electron microscopy in the present experiment.
用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形。
2.
049N Vickers indentation in GaAs single crystal has been investigated using high-resolution electron microscopy.
049 N载荷 Vickers压痕诱发砷化镓单晶的相转变进行了观察和研究,结果表明。
4)  GaAs transistor
砷化镓晶体管
5)  HB-GaAs single ctystle
水平砷化镓单晶
6)  gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓单晶
补充资料:多晶莫来石晶须(纤维)
分子式:
CAS号:

性质:莫来石相为主晶相的多晶纤维。化学成分为Al2O3 72%~77%,SiO222%~17%,B2O3 3%~5%,P2O51.5%~3.0%。纤维直径2~7μm,纤维长度20~125μm。使用温度1350℃。多采用溶胶-凝胶法制造。主要用作补强填料,也可作为轻质、隔热保温材料使用。

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