1) back-gate effect
背栅效应
1.
Thesimulator, considering the special structure of SOI devices, studies the influencesof recombination-generation rate on parameters of internal devices and analyzesthe back-gate effect and the principle of Kink effect of Ⅰ-Ⅴ characteristics.
这个模型从SOI器件的特殊结构出发,着重考虑了复合-产出率对器件内部参数的影响,分析了SOI-MOSFET器件的背栅效应以及I-V特性的扭曲(Kink)效应产生的机理。
2.
The back-gate effects on front-channel subthreshold characteristics,on-r esistance,and off-state breakdown characteristics of these devices are studied in detail.
相比于源体紧密接触结构,低势垒体接触结构横向双扩散功率晶体管的背栅效应更小,这是因为低势垒体接触结构更好地抑制了浮体效应和背栅沟道开启。
2) hurdle effect
栅栏效应
1.
Based on the theory of hurdle effect,the hurdle for preventing corruption of product was formation because of the mutual effects between the several moderate strength hurdle factors such as the strength for sterilization,acidity(pH)and activity of water,electrometric highness and preservative.
运用栅栏效应理论 ,合理设置多个强度缓和的栅栏因子 ,即杀菌强度、酸度 (pH)、水分活度、氧化还原电势及防腐剂 ,通过它们之间的交互作用 ,形成有效防止制品腐败变质的栅栏 ,开发出感官品质良好的风味波纹巴非蛤肉软罐头。
3) barrier effect
栅栏效应
4) picket fence effect
栅栏效应
1.
In the end,the problems of spectrum leakage and picket fence effect are explained and the corresponding solution is proposed.
最后,诠释了频谱泄漏及栅栏效应的问题,并提出了相应的改进方法。
2.
The spectrum correction is a promised approach to overcome the picket fence effect of the fast Fourier transform(FFT);however the formula for the case of triangular windowing is not yet available from references.
频谱校正是抑制快速傅里叶变换的栅栏效应和频谱泄漏的有效方法,但是加三角窗的频谱校正尚无文献报导。
5) fence effect
栅栏效应
1.
And signal frequency deflection from normal value will cause spectral leakage and fence effect,and will bring about measurement error of dielectric loss angle.
脉冲噪声的干扰、信号频率偏离正常值导致的频谱泄漏和栅栏效应会给介损角测量造成误差。
2.
Furthermore,the offsets caused by fence effect during the digital operation are analyzed in detail and method to compensate for the offsets is proposed.
在分析了无源互调产生的根源及传统测量方法的基础上,本文给出了一种基于FFT运算的无源互调失真数字化测量方法,并详细分析了数字化运算过程中由栅栏效应所引入的测量偏差,提出了测量偏差消除方法,基于本文所提算法实现的硬件测量结果证明了算法的有效性,即使在所测量的无源互调信号功率为-70dBm时,测量误差也不超过0。
3.
Based on the looking for a lot of references,the natural antistaling agent and fence effect to preservation of chilled meat were expounded in this paper.
在查阅大量资料的基础上,阐述天然保鲜剂与栅栏效应对冷却肉的保鲜效果。
6) hurdle effect
栏栅效应
1.
In the second part of the paper,comparision is made between the method and DFT and FFT,which is mainly about the computation quantity,the computation precision and the hurdle effect,all of which incarnates the characteristic of this estimating(method).
提出了一种对信号频谱的估算方法———无间隔脉冲频域分析(noninterval pulse frequency analyse,NPFA)方法,从理论上证明了其正确性,给出了若干仿真实例;着重在计算量、计算精度、栏栅效应上与离散傅里叶变换(discreteFourier transform,DFT)及快速傅里叶变换(fast Fourier transform,FFT)分别做了比较,结果表明:在估算短数据个别频点的频谱时,该方法有优于DFT及FFT的特点。
2.
In second half part of the paper comparision is made between the method and DFT and FFT,which is mainly about the computation quantity,the computation precision,the depth of the frequency spectrum mixture and the hurdle effect,which incarnates the characteristic of this estimating method.
文章的后半部分还在计算量、计算精度、频谱混叠程度和栏栅效应上将此算法和DFT 及其快速算法FFT分别做了比较,体现了这种算法的特点。
补充资料：背散射-沟道效应
背散射-沟道效应
back scattering-channeling effect
背散射一沟道效应baek seattering一ehannelingeffeet让一束单能的带电粒子(4He+或‘H+)入射到样品上，利用它与样品表面层原子核的相互作用来分析该薄层的厚度、组分、杂质种类、含量及其分布等的技术。它是一个非常有效的分析手段，具有简单、可靠，能作定量分析而无需定标以及不破坏样品等优点。背散射实验方法自20世纪60年代末建立起来后，已在固体物理、表面物理、材料科学、微电子学等方面得到了广泛应用。 背散射实验所需的仪器设备有:提供单能离子束的加速器，测量样品的靶室，接受粒子的探测器和作信号分析的电子学测量系统。 当具有一定能量的荷电粒子入射到某一样品上时，由于受样品中物质库仑斥力的作用，粒子偏离原来的方向，发生卢瑟福弹性散射。如果散射角大于900，粒子被散射后返回，这种现象称作背散射。入射粒子的能量，对4He+选用2一3 MeV，对’H+选用200一 400keV。能量过高会受核共振的影响，过低则测量的灵敏度和分辨率太低。 当具有一定能量的荷电粒子入射到靶(样品)上与靶核碰撞后，部分能量被靶核吸收。对于重靶核，被吸收的能量少，背散射粒子基本上保持入射时的能量;对于轻靶核，大部分的能量被吸收，背散射粒子的能量很小。因此从背散射粒子的能量可以定出靶核的质量，从而对靶中元素的组成进行分析。用背散射分析杂质的灵敏度约为10‘8/em3。 粒子进入样品后，在入射和出射的行进过程中不断与样品的原子碰撞而损失能量。粒子进入样品越深，能量损失越大。利用出射背散射粒子的能量直接与发生碰撞的深度相联系，便可以测定样品的厚度和深度分布。用背散射测量深度可达几个微米，其分辨率在儿千埃的深度范围内为60一200人。 背散射产额即背散射谱的谱高正比于散射中心即靶原子的浓度，因此背散射谱可用来测定样品的杂质含量和组分。此外，谱高还取决于散射几率。入射粒子和靶原子的原子序数越大，散射几率也越大，所以用重粒子分析重靶有更高的灵敏度。 背散射测量所用离子束的流强约为10 nA。 背散射实验技术的局限性在于分析轻元素，特别是重衬底中的轻元素不灵敏，它不能用来分析化学键，不能测定相的组分和区别不同的晶体结构。此外，背散射不能作横向分析，应用这个方法时都假定样品是横向均匀的。 以上讨论的是粒子随机入射的情况，即入射粒子束不平行于单晶的晶轴或晶面，这样测得的谱称随机谱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条