1) photosemiconductor
光半导体
1.
Primarily study on the application of nanometer TiO_2 photosemiconductor in preventing plant diseases;
纳米TiO_2光半导体材料防治植物病害的初步研究
2.
The effects of nano-TiO2 photosemiconductor sol on the photosynthesis of cucumber plants had been firstly reported in this paper.
TiO2半导体颗粒的光催化机理类似于人工模拟光合作用,笔者初步探讨了其在植物体上对光合机能的影响;以锐钛型纳米TiO2光半导体溶胶为材料,在栽培试验中,对黄瓜喷施不同浓度的纳米TiO2溶胶,然后测定光合参数、根系活力及叶片丙二醛含量的变化;结果表明,黄瓜叶片喷施一定浓度的纳米TiO2溶胶材料后,在叶片表面形成透明、连续、稳定的TiO2薄膜,能显著促进光合速率的增加,同时根系活力得到提高。
3.
Nano-TiO2 materials to be as one of the environment friendly photosemiconductor has been widely used in many fields.
纳米TiO2作为一种环境友好型光半导体材料在众多领域具有广泛的应用价值。
2) diode laser
半导体激光
1.
Long-term curative effect of diode laser transscleral cyclophotocoagulation for neovascular glaucoma;
半导体激光经巩膜睫状体光凝术治疗新生血管性青光眼的远期疗效
2.
Long-term effect of transscleral diode laser cyclophotocoagulation in treatment of refractory glaucoma;
半导体激光经巩膜睫状体光凝术治疗难治性青光眼的远期疗效观察
3.
Contact transscleral diode laser cyclophotocoagulation for refractory glaucoma;
接触式半导体激光经巩膜睫状体光凝术治疗难治性青光眼疗效观察
3) laser diode
半导体激光
1.
808nm Quasi-CW laser diode stack with polarization coupling
808nm准连续半导体激光迭阵偏振耦合技术
2.
Conclusion Laser diode pulposus vaporization has been found to be an effective,rapid,reliable,outpatient,minim.
方法 对 4 9例行平均 2 5 0 0焦耳(J)量半导体激光汽化 ,并进行 3个月短期疗效观察。
3.
In the new wire diameter online measurement system proposed, laser diode was used as the point light source to emit spheric waves passing through a wire.
提出一种细丝直径在线测量方法,利用半导体激光作为点光源,发出球面波;通过细丝后在其后菲涅耳衍射区留下阴影,测量阴影宽度可得细丝直径;同时,利用两个相距一定距离的点光源对同一细丝投影,测量两个投影之间的距离可得细丝位置的晃动量,从而校正直径测量值。
4) semiconductor laser
半导体激光
1.
Endoscopic neurosurgery combined with semiconductor laser on hydrocephaly and intracerebral cysts;
半导体激光配合神经内窥镜治疗脑积水和颅内囊肿
2.
Clinical observation of semiconductor laser and sling traction in the treatment of sciatica;
半导体激光并悬吊牵引治疗坐骨神经痛的临床观察
5) emitting semiconductor
发光半导体
6) semi-conductor laser
半导体激光
1.
The clinical observation of cervicalprotrusion through semi-conductor laser with manipulation massage treatmant;
半导体激光并牵引下推拿法治疗颈椎间盘突出症临床观察
2.
The long term effect of semi-conductor laser in treating central serous chorioretinopathy.;
半导体激光治疗中心性浆液性脉络膜视网膜病变
3.
The clinical observation of semi-conductor laser treatment of hypersensitive dentine;
半导体激光治疗牙齿感觉过敏症的临床观察
补充资料：可见光半导体激光材料
可见光半导体激光材料
visible semiconductor laser materials
可见光半导体激光材料visible semiconductorlaser materials激光波长在0 .3一0 .7召m范围内的半导体激光材料。按激光颜色可分红光半导体激光材料、蓝绿光半导体激光材料。可见光半导体激光材料的禁带宽度比红外半导体激光材料的宽。波长愈短，禁带愈宽。 红光半导体激光材料目前已用于制备0.6一0.7召m波段激光器的材料全部是nl一V族化合物半导体(表1)，故其晶体结构、能带结构一致，禁带宽度、晶格表1红光半导体激光材料┌────┬───────┬────────┬───┬───────┐│波长 │激活层 │限制层 │衬底 │备注 ││ (刀m) │ │ │ │ │├────┼───────┼────────┼───┼───────┤│ 0 .67 │Ga:一xAI二As │ Ga卜，AI，As │GaAS │x二0 .4y=0，7 ││ 0 .67 │Ga。.Sln。.SP │ Ga卜盆Al沈As │GaAs │ x>0 .7 ││ 0 .67 │Gao .Slno.。P │Ino .5(Ga，一、 │G月A只│ x二0 .4一1 ││0 .58一 │Inl一了(Ga卜x │ Alx)。.。P ├───┤ ││ 0 .69 │ Alx)，P │ In卜环Ga卜丫 │GaAS │ ││ │ │ AI了)，，P │ │ │└────┴───────┴────────┴───┴───────┘常数、折射率与组分和温度关系遵循相同规律。当使用Gal一xAlxAs/GaAs时，其激活层含有很高的AI组分，禁带宽度E;〔。V)┌─────────────┐│ AIS”沁一_ │├─────────────┤│l一 │├─────────────┤│ 沪 ││一/InP ││ 了曰、. │├─────────────┤│一牙长若 │└─────────────┘毕绷GaAs邝一0 QC6.6.﹄沉 ︵代︶杯枉滚咯外GaAIAs激光器可见光InGa人l尸激光器O一40。6〔k 81。t卜 滋射波长(林m) (AlxGa:一、)，In，一，l，的禁带宽度、 晶格常数与组分的关系氧化造成优质异质结生长困难，并引起器件快速退化，故其实际应用较少。实用化的红光半导体材料是InGaAIP/GaA氏其禁带宽度、晶格常数间的关系如图所示。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条