1) RF transistor
射频三极管
1.
Design of a subnonsecond Gauusisan pulse generator based on the RF transistor;
一种基于射频三极管的高斯脉冲发生器的设计
2.
The paper puts forward the design methods of oscillator based on the RF transistor which work at the characteristic frequency.
提出了基于射频三极管工作在特征频率下的振荡器设计方法。
2) triode-mixer
三极混频管
3) high-frequency triode
高频三极管
4) RF diode
射频二极管
5) radio-frequency pentode
射频五极管
6) RF-BJT
射频三级管
1.
Based on Low-voltage characteristics of avalanche of RF-BJT,UWB bipolar short-duration pulse is designed and simulated by Multisim with satisfied results of amplitude of 1.
分析了TWSR主要参数选取方法,讨论了几种UWB中常用窄脉冲产生方法及其特点;分析设计了一种基于射频三级管的低电压雪崩特性的超宽带脉冲产生电路,并通过Multisim仿真调试,产生了峰值电压为1。
补充资料：半导体三极管
又称“晶体三极管”或“晶体管”。具有三个电极，能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的pn结，组成一个pnp(或npn)结构。中间的n区(或p区)叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极b、发射极e和集电极c。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条