补充资料：硅外延片

硅外延片
silicon epitaxial wafer

gUI WOlyQnPlon硅外延片(silieon epitaxial wafer)在硅单晶衬底上沿其原来的晶向再生长一层硅单晶薄膜的半导体硅材料。硅外延已发展成为门类繁多的技术，从外延层在器件制造中的作用看，可分为正外延和反外延。器件直接制作在外延层上的叫正外延;器件制作在单晶衬底上，外延层作为基底，叫反外延。从化学组成看，可分为同质外延和异质外延。外延层和衬底属同一种物质，称同质外延，外延层和衬底不属同种物质，称异质外延。制备硅外延片的方法有气相外延、液相外延、分子束外延等。其中以化学气相淀积(C VD)为基础的气相外延是现在生产硅外延的主流。常用的源有SICI、、SIHC13、SIHZCI:和SIH、4种。目前以SICI‘源应用最广泛。对于亚微米级外延，从低温看，硅烷似乎比其他源好，但硅烷在极少量空气存在下会在硅外延层中产生510:微粒，SIHZCI:用于优质外延及薄层外延。 工艺原理以SICI‘为源的气相外延法为例。将硅单晶衬底加热到1200℃左右，将含有SICI、蒸汽的氢气流过衬底表面。利用化学反应SIC14+2H2一Si令+4HCI个，氢和四氯化硅在衬底表面或附近发生反应，生成游离状态的硅原子和副产物HCI。后者随着主气流被排走。而游离状态的硅原子经表面和台阶扩散，坐落在晶格格点上，释放潜热，成为晶相原子，实现外延生长。实际上此过程远比上述反应复杂，还有许多其他中间产物生成。当气流与基座(包括衬底硅片)接触时，形成边界层，反应剂以及掺杂剂要扩散通过此边界层到达生长层，反应副产物也要扩散通过此边界层返回到主流区。边界层厚度对气流速度很敏感。设计反应器和制定工艺条件时，必须考虑边界层厚度对输运过程的影响。应当调整边界层厚度，以获得均匀的外延层。作为外延衬底的硅抛光片要在反应器内通入HCI气体，于外延沉积前进行气相腐蚀以消除衬底表面的损伤和污染。掺杂是使用气相掺杂法，掺杂剂为硼、磷、砷的卤化物或氢化物，现在多用氢化物如BZH6，PH3，AsH3等。 设备硅外延所用设备见图，主要由反应器、加热装置、气体控制系统和氢气净化装置组成。一二几产井移熟脚早必界了班久要截 质量控制硅 外延片质量直接影 响到器件性能。 启蚀气体的排气增塑排气增压孔SICI峨硅外延是一 排汗节旦一一口七一}匕翟坠二而~，(1匆lb‘/、2)，，大毫很吧辱牢的 111尸，.。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。