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1)  timer IC
时基集成电路
2)  555 time base IC
555时基集成电路
3)  analog time base integrated circuit
模拟时基集成电路
4)  555timer integrated circuit
555定时集成电路
5)  Si-substrate integrated circuit
硅基集成电路
1.
Development of Si-substrate integrated circuits and new generation dielectric oxide materials for MOS gates;
硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状
6)  555 circuit of time-base form
555时基电路构成
补充资料:BiCMOS集成电路

[英文]:BiCMOS integrated circuit
[解释]:
    由双极型门电路和互补金属-氧化物-半导体(CMOS)门电路构成的集成电路。特点是将双极(Bipolar)工艺和CMOS工艺兼容,在同一芯片上以一定的电路形式将双极型电路和CMOS电路集成在一起 ,兼有高密度   、低功耗和高速大驱动能力等特点 。高性能BiCMOS电路于20世纪80年代初提出并实现,主要应用在高速静态存储器、高速门阵列以及其他高速数字电路中,还可以制造出性能优良的模/数混合电路,用于系统集成。有人预言,BiCMOS集成电路是继CMOS集成电路形式之后最现实的下一代高速集成电路形式。
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