1) exciton rotational relaxation
激子旋转弛豫
1.
Effect of exciton rotational relaxation on luminescence decay of low-doped porphyrin side-chain polymers;
激子旋转弛豫对低掺杂卟啉侧链聚合物荧光衰变过程的影响
2) spin excitation delay
自旋激发弛豫
1.
The spin excitation delay for granular films with ferromagnetic granules;
含铁磁颗粒的颗粒膜自旋激发弛豫研究
3) electron spin relaxation
电子自旋弛豫
1.
It is found that spin relaxation lifetime of electrons lengthens with increasing excitation energy density for both samples, and the annealed (Ga,Mn)As has shorter carrier recombination and electron spin relaxation lifetimes as well as larger Kerr rotation angle than the as-grown (Ga,Mn).
运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理。
4) spin-magnon relaxation
自旋磁子弛豫
5) spin relaxation
自旋弛豫
1.
A spin relaxation lifetime of 490±70 ps was obtained at room temperature.
获得初始自旋偏振度约为0·2,此结果支持在圆偏振光激发下,重、轻空穴带的跃迁强度比为3∶1,而不支持1∶1或1∶0·94的观点·同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps,定性分析了自旋弛豫机理,认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理。
2.
Under non-resonant excitation, the spin relaxation lifetimes of 3.
实验发现,在非共振激发条件下,厚度为1/3单层的InAs亚单层中电子自旋弛豫寿命长达3。
3.
In this paper,a brief review on spin relaxation in semiconductors is given.
本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。
6) ~1H spin-spin relaxation
质子自旋自旋弛豫
补充资料：“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强
“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强
物理学术语。原子核外层中不成对的电子质量小，但磁动性很强，可使局部磁场波动增强，促使氢质子弛豫加快，从而使T1和T2缩短，这种效应即为PEDDPRE。过渡元素和镧系元素大部分在d和f轨道有多个不成对电子，所以其离子往往具有PEDDPRE，可用来作顺磁性对比剂，如钆(Gd)。Gd在外层有7个不成对电子，具有很强的顺磁性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条