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1)  OBIRCH
激光束诱导电阻值变化
1.
13 μm in early scale production,using electrical and physical failure analysis methods of OBIRCH(optical beam induced resistance change),VC(contrast voltage),SEM and FIB,it was conformed that the MOS device physics defect caused by ion implantation deviation is the main reason for IDDQ failure.
13μm某种DSP芯片在量产初期所遇到的IDDQ测试失效情况,利用激光束诱导电阻值变化(OBIRCH)、电压对比(VC)、扫描电镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等电学与物理失效分析方法,确定由离子注入偏差所引起的MOS器件物理缺陷是造成IDDQ失效的原因,据此进行了离子注入光阻的工艺改进,最终实现了成品率的提升。
2)  laser beam induced current (LBIC)
激光束诱导电流
1.
The standard diffusion length (L_p) test procedure is apt to damage the p-n junction, so we often use characteristic decay length (L) obtained by laser beam induced current (LBIC) instead of L_p.
由于得到HgCdTe扩散长度Lp的标准测试结构会损伤p-n结单元,实验中广泛采用激光束诱导电流(LBIC)提取的等效扩散长度L来代替Lp。
3)  laser beam induced current
激光束诱导电流谱
1.
A measurement system of laser beam induced current(LBIC) with high spatial-resolution and without requiring any direct electrical contact to the unit is presented.
高分辨率、非直接接触的激光束诱导电流谱表征手段成功用于表征HgCdTe光伏型红外探测器单元,获得了HgCdTe光伏型器件单元的几何结构信息,为HgCdTe器件的优化设计提供参考依据。
2.
A measurement system of laser beam induced current (LBIC) with high spatial-resolution and without requiring any direct electrical contact is presented.
通过高分辨率、非直接接触的激光束诱导电流谱表征手段获取 HgCdTe光伏型器件单元的几何结构信息,结果表明离子注入形成的n型区域的面积明显大于离子实际注入的区域面积。
4)  strain-induced change in resistance
形变诱导电阻变化
5)  Laser guiding discharge
激光诱导放电
6)  laser-induced electric breakdown
激光诱导电击穿
补充资料:激光诱导热透镜效应法
分子式:
CAS号:

性质: 又称激光热透镜光度法,简称热光热透镜法。应用激光束使试样产生热效应进行元素痕量分析的一种技术。基本原理是激光束射向置于溶剂中试样上,试样吸收光能,通过无辐射弛豫而转化为热能(或称加热),使试样溶液以激光束为中心形成很强的温度径向梯度分布,导致溶液折射指数的径向梯度分布;此时试样相当于一个透镜,即所谓热透镜效应,其大小,可测定光束中心部位光强的减小来量度。试样可进行萃取使欲测元素分离或用螯合剂生成螯合物或离子缔合物再进行激光束加热,以提高选择性。分析装置有多种形式,大多用一种激光束如氪离子(Kr+)激光器、氦-氖激光器或脉冲可调染料激光器发射的某一波长,可同时作为加热光束和探测光束;亦有用双光束如用脉冲染料激光束作为试样的加热光束,用非聚焦型氦-氖激光束作为探测光束。本法灵敏度比一般光谱高。已用于稀土、金属元素在地表水、化学处理后的排水及其他各种试样中的痕量分析。

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参考词条