1) high-order compact finite difference
高阶紧致差分
1.
The solution using a spline procedure,SADI,and a high-order compact finite difference(HOC)method is presented for the hydrodynamic(HD)model for semiconductor device simulation.
采用样条分步法SADI与高阶紧致差分相结合的方法,计算用于半导体器件模拟的流体力学模型。
2.
The application of ADI and high-order compact finite difference method to 3-D parasitic capacitance computation.
采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算3-D寄生电容。
3.
In this paper,we apply ADI and high-order compact finite difference method for large-scale asymmetric sparse matrix in semiconductor device simulation.
采用AD I与高阶紧致差分相结合的方法计算大型非对称稀疏矩阵,并实现了该算法在半导体器件模拟中的应用。
2) high-order compact difference scheme
高阶紧致差分格式
4) High-order compact exponential scheme
高阶紧致指数型差分格式(HOCE)
5) fifth upwind compact difference scheme
五阶迎风紧致差分格式
6) fourth-order compact difference scheme
四阶紧致差分格式
1.
Impact of fourth-order compact difference scheme on computational properties of 3D grids;
四阶紧致差分格式对三维网格计算特性的影响
补充资料：对称差分(n阶的)
对称差分(n阶的)
symmetric difference of order
对称差分(n阶的)l另11111州tric山ffer曰℃eof份der‘c“MMe邓一，ecK即pa3Hoc几“op，皿Kan」，一元实变函数f在点x上的 表达式 声/n、，.、。，/.n一Zk八 △口ffx，h)=)l:’1(一1)“f lx十二二~一竺二生h 1. 一‘““一””k饥戈k/、‘产“戈一2‘’/‘将h换成Zh，下面的表达式也称为对称差分: 息川(一1)*，‘二+、。一2、)。).假若f(x)在x有n阶导数厂时(x)，那么 △二f(x，h)=./戈n)(x)h”+o(h”). T .fl .J’IyKame皿。撰
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