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1)  buried oxide VDMOS
部分埋氧结构纵向扩散金属氧化物半导体
2)  vertical double diffused mos
垂直双扩散金属氧化物半导体结构
3)  VMOS
纵向金属氧化物半导体
4)  HV LDMOS
高压横向扩散金属氧化物半导体
5)  LDMOS
横向扩散金属氧化物半导体
1.
Taking LDMOS RF power amplifier as example,electro-thermal model of LDMOS FET was introduced.
以横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管射频功率放大器为例,介绍了LDMOS FET电热效应模型,理论推导了LDMOS FET的结温与其耗散功率的量化关系,揭示了射频功率放
2.
14 GHz high efficiency class-E power amplifier based on LDMOS transistors.
14GHz频段横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的高效率E类功率放大器。
6)  metal-oxide-semiconductor structures
金属氧化物半导体结构
补充资料:纵向扩散
分子式:
CAS号:

性质:又称色谱分子扩散。组分分子沿着色谱柱轴向扩散的效应。这种扩散是由于柱内存在着纵向浓度梯度而引起的,对谱带的变宽起主要作用。在气相色谱中,分子扩散与待测组分在气相中的扩散系数及停留时间成正比。停留时间越长,即载气流速越小,则分子扩散影响就越大。气相扩散系数与待测组分的性质、柱温、柱压、载气的性质等有关。在液相色谱中,由于液体扩散系数较气体的小104~105倍,所以待测组分在液目中的这种扩散可忽略不计。

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