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1)  electronic states of surface and interface
表面和界面电子态
2)  Alq3/ITO
表面和界面电子状态
3)  surface state
表面电子态
1.
A variational approach is used to study the surface states of electrons in semi-infinite wurtzite nitride semiconductors.
电子与表面光学声子相互作用对表面电子态的影响不应被忽略。
4)  surface states of electrons
电子表面态
1.
With a viriational treatment, the surface states of electrons in semiconductor GaAs have been studied as a function of hydrostatic pressure taking into account an interpolation fit approximation between the lattice constant, band gap and the pressure effect.
数值结果表明 ,随压力增加电子表面态能级明显向上移动 ,且电子趋近表
5)  surface and interface
表面和界面
6)  surface and interfacial characterization
表面和界面表征
补充资料:陶瓷表面、界面和界相


陶瓷表面、界面和界相
eeramie surfaee inter-faCeafldinterPhase

  陶瓷表面、界面和界相。eramiC Surfaee inter-face and interphase任何固体材料都有表面。表面的结构和原子排列决定能量状态,因而影响材料的性能,尤其是电性能和光学性能,并决定材料是否具有催化性能。利用一些陶瓷表面结构与湿度的密切关系,可制成湿度探测器。如用多孔氧化铝膜制造成的湿度探测器,被探测的水气通过可渗透的顶部金质电极在多孔A12O3壁上达到平衡,这一情形改变结构通道,因而具有表面电导性能。 表面科学必然涉及界面问题。晶界是多晶材料(陶瓷是一种典型的多晶材料)中最常见的界面现象。作为多晶材料中分割晶粒的界面,可看成材料从一个晶粒向另一个晶粒的结构过渡形式。晶界的宽度一般为原子间距的数量级,可认为是二维和三维的中间状态。晶界的化学成分,尤其是杂质的成分,影响陶瓷材料的强度,特别是高温强度、蠕变性能、硬度等。晶界组成可影响陶瓷材料的烧结机理属性、晶粒的重结晶,并改变晶界的相变。在功能陶瓷中,如电容器陶瓷、正温度系数(PTC)陶瓷等,晶界在调节材料的性能上是重要的因素。对于很多材料,要求晶界尽量“清洁”,即没有杂质和第二相。对于半导体材料,由于晶界的存在产生悬键,从而给出具有扰动特性的空域能带。若有杂质富集,将改变能带状态,因此这类材料需要清洁晶界。材料界面中薄膜和底材之间形成的界面所产生的缺陷,对半导体材料电性能影响很大,因此制备时要加以控制。 随着界面问题的深入研究,以及多相体系在材料中的日趋重要,又提出了界相这一概念。所谓界相是指不同相之间的界面。在多相复合陶瓷中,有纤维或晶须与母相之间、有两相弥散与母相之间、有两个或多个主晶相之间,以至在陶瓷相与金属相、陶瓷相与高分子相之间的界相问题。它们在化学上的相容、在物理上的匹配,以及结合性状和显微结构,均为这类陶瓷材料的设计提供了有用的信息和依据。‘ (温树林)
  
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