1) gate leakage current
栅极漏电流
2) gate induced drain leakage current
栅极感应漏极漏电流
3) gate-leakage current
栅漏电流
1.
The impact of gate-leakage current on device characteristic becomes obvious with the continuous scaling of MOSFETs.
随着MOSFET尺寸的不断减小,栅漏电流对器件特性的影响日益明显。
4) gate-contact leakage current
栅结漏电流
5) grid electric current
栅极电流
1.
Via measuring the grid electric current and the board electric current,the first excitation potential of argon atom are achieved.
测量了夫兰克赫兹实验中氩气管的经典线性伏安特性曲线,分别从栅极电流和板极电流的实验数据中反应出的氩原子第一激发能级量子化吸收的特性,并对量子吸收理论在实验中的体现加以探讨。
6) drain current
漏极电流
补充资料：反向漏电流（inverseleakagecurrent）
反向漏电流（inverseleakagecurrent）
流过处于反向工作的pn结的微小电流称为反向漏电流。理想pn结反向漏电流中还包括体内扩散电流与空间电荷区产生电流两部分，硅pn结空间电荷区产生电流起支配作用。反向漏电流的大小与组成pn结的半导体材料禁带宽度呈指数关系，反向漏电流中还包括表面漏电流，表面漏电流的大小与pn结制作工艺密切相关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条