1) subthreshold current
亚阈值电流
1.
A two-dimensional(2D)model for the subthreshold current in a dual-material gate silicon-on-insulator(SOI)MOSFET with a single halo is presented.
在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流。
2) subthreshold leakage current
亚阈值泄漏电流
1.
The research on the influence of edge implant on subthreshold leakage current of H-gate SOI pMOSFETs doses was made.
就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。
3) subthreshhold leakage current
亚阈值漏电流
4) sub-threshold current
亚阈电流
5) subthreshold current mirror
亚阈值电流镜电路
1.
A novel method to characterize CMOS process fluctuations in subthreshold current mirrors (SCM) is reported.
与现有的统计学方法相比,该方法在理论上和计算复杂度上相对简洁,但对亚阈值电流镜电路中的CMOS工艺波动做出了准确的评估。
6) threshold current
阈值电流
1.
Feedback light decreases threshold current of laser diode and increases the static light intensity.
反馈光会引起激光二极管阈值电流减小,静态输出光强变化几倍,使激光二极管工作在实际的阈值电流之上。
2.
By analyzing the conditions which can increase the power conversion efficiency(PCE)of diode,it is found that decreasing the work voltage,serial resistance and the threshold current can increase the PCE.
分析了提高激光器电光转换效率的几种途径,认为降低激光器工作电压、串联电阻和阈值电流可以提高激光器转换效率。
3.
VCSEL arrays containing 7,19,and 37 elements are fabricated,and the characteristics of the threshold current and the far-field angle are discussed.
制作了含7,19,37个单元的列阵,讨论了它们的阈值电流和远场特性。
补充资料：地理阈值
亦称地理临界值。它将地理系统中的不同状态加以分隔与区分，把某一性质的表现范围加以限制和说明。在此种意义上，地理阈值代表了系统的“状态空间”的非连续性。在一般叙述中，常把地理阈值等同于地理系统边界条件，但二者是有区别的：如果两种不同的状态同时存在于相同的边界条件之中时，地理阈值的表现可能是“非传递性”的转移；而当两种不同状态分置于不同的边界条件之中时，地理阈值的表现可能是“过渡性”地转移。无论是非传递性转移的地理阈值，还是过渡性转移的地理阈值，都使地理系统中不可能具备唯一的、通用的或稳定的解。所谓“解”都是有条件的，都是在地理阈值约束下的解。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条