1) MOS field-effect transistor
MOS场引晶体管
2) MOS field effect transistor
MOS场效应晶体管
3) MOSFET
['mɔsfet]
MOS场效应晶体管
1.
Modeling of Millimeter-Wave MOSFETs;
毫米波MOS场效应晶体管的建模
2.
Effects of channel length on degradation characteristics of n-MOSFET s have been investigated.
研究不同沟道长度n沟道MOS场效应晶体管的热载流子效应对其退化特性的影响。
4) MOS transistor
MOS晶体管
1.
A kind of intelligent PV module consisting of MOS transistor,MCU,and infrared device is developed.
设计了一种基于MOS晶体管、单片机、红外收发装置的智能光伏组件,其原理是单片机通过定时测试两路太阳电池片的输出电压来判断各路电池片的实际工作情况,根据其工作状态来控制起续流作用的MOS晶体管的工作状态,并且单片机把得到的总电量值保存在内部EEPROM中,需要了解组件自从安装后的发电总量时,用手持抄表器很方便地通过组件上的红外收发模块得到EEPROM中的数据。
2.
Based on I-V characteristics of single-electron transistor and the idea of MOS digital circuit design,an inverter using the single-electro and MOS transistors is proposed and some other logic gate circuits are educed.
基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。
3.
Both nMOS and pMOS transistors with two-edged and multi-finger layouts are fabricated in a standard commercial 0.
在商用标准0·6μm体硅CMOS工艺下,设计了采用普通单栅及多栅版图结构的nMOS和pMOS晶体管作为测试样品,讨论其经过γ射线照射后的总剂量辐照特性。
5) MOSFET
['mɔsfet]
MOS晶体管
1.
Novel Pressure Sensor Using MOSFETs;
新型MOS晶体管式压力传感器
2.
Similar to the piezoresistors, MOSFET .
研究表明,在应力作用下,MOS晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化,具有类似压敏电阻的力敏效应。
6) BJMOSFET
双极MOS场效应晶体管
1.
The high frequency equivalent model of Bipolar junction MOS field effect transistor (BJMOSFET) was proposed.
提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFET比MOSFET具有更好的频率响应特性。
2.
After analyzing the advantage and disadvantage of the MOSFET and BJT a new kind of device BJMOSFET is introduced, which has large capacity of current and large power output just like the BJT, and the large input resistant just like (MOSFET.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件———双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条