1) bias high-voltage
偏置高压
1.
The basic boost topology principle of using PIC16C781 is introduced;The design of software and hardware of PIC16C781 in the bias high-voltage power sulpply is discussed;The PWM module and closed-loop feedback based on PIC1.
文中阐述了使用PIC16C781产生高压电的基本升压拓扑原理,讨论了PIC16C781在激光测距仪偏置高压电源中的硬件和软件设计,介绍了PIC单片机的PWM模块以及用PIC16C781芯片构成的闭环反馈。
2) Offset-gate HVMOS
偏置栅高压MOS
3) high-voltage bias voltage
高压偏置电路
4) bias
[英]['baɪəs] [美]['baɪəs]
偏置;偏压
5) bias voltage
偏置电压
1.
Experimental Study on Influence of Interference and Bias Voltage on Detective Signal of Spark Plug;
干扰及偏置电压对火花塞检测信号影响的试验研究
2.
The influences of the bias voltage and hydrostatic pressure on FE/AFE and AFE/PE phase transition and transition temperature of these PLZST ceramics obtained by measuring the relation between the relative dielectric constants and loss and various parameters of samples.
通过测定样品的相对介电常数及损耗与各种参量的关系,得到了等静压力及偏置电压对反铁电体铁电/反铁电相变及反铁电/顺电(PE)相变温度影响的规律。
3.
The bias voltage Vp was discussed.
直流偏置电压V_p可消除系统倍频振动,为后续检测电路设计提供便利。
6) biased voltage
偏置电压
1.
The uniformity and conformity of the oxidation lines of Si obtained by AFM (atom force microscope) tip induced oxidation ofdifferent biased voltages and scanning speeds are studied.
研究了在不同的偏置电压和扫描速度下加工的Si氧化线的一致性和均匀性,得到了加工高质量的Si氧化线的实验条件为:偏置电压8V,扫描速度1 μm/s。
2.
Ti oxidation lines with 5 μm length were fabricated at temperature of 20 ℃,relative humidity of 30 %,oxygen concentration of 20 %,and different biased voltages and scanning speeds.
偏置电压和扫描速度是AFM阳极氧化加工Ti纳米氧化线的决定因素。
补充资料：偏置屈服应力
分子式：
CAS号：
性质：应力-应变曲线偏离线性达到规定应变百分数的应力。也有称作残余变形屈服应力。该规定的变形量是人们事先商定的（偏置）。这种场合往往是由于该材料的应力、应变曲线不出现明显的屈服点，故作此规定。以统一衡量材料的力学性能，便于互相比较。当然，规定的该值不应超过该材料的拉伸强度值。
CAS号：
性质：应力-应变曲线偏离线性达到规定应变百分数的应力。也有称作残余变形屈服应力。该规定的变形量是人们事先商定的（偏置）。这种场合往往是由于该材料的应力、应变曲线不出现明显的屈服点，故作此规定。以统一衡量材料的力学性能，便于互相比较。当然，规定的该值不应超过该材料的拉伸强度值。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条