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1)  phosphorus doped polysilicon
掺P多晶硅
1.
Process of LPCVD polysilicon and phosphorus doped polysilicon;
LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的工艺
2)  doped polysilicon
掺杂多晶硅
3)  p-type pdy-Si
p型多晶硅
4)  doped silicon/polysilicon
掺杂硅/多晶硅
5)  doped polycrystalline silicon diffusion
掺杂多晶硅扩散
6)  double doped polysilicon gate
双掺杂多晶硅栅
补充资料:多晶硅
      单质硅的一种形态。熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,结晶成多晶硅(见彩图)。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如,在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面,远不如单晶硅明显;在电学性质方面,多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著,甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面,两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别,但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
  
  由熔融的单质硅在过冷条件下自由结晶,可得多晶硅晶体。多晶硅可作拉制单晶硅的原料。
  

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