2) reflection at critical angle
临界角反射
3) critical angle of total reflection
全反射临界角
4) critical total internal
临界全反射角
1.
The kifferent measuring configurations with the Brewster s angle or critical total internal reflective angle by the curve of light distribution are intensively studied.
提出利用线阵CCD传感器作为反射光或折射光的光强分布接收装置的折射率测量方法，研究了如何根据光强的空间分布曲线确定布儒斯特角或临界全反射角的定标方案，讨论了测量结果可能达到的精确度。
5) subcritical reflection
临界角前的反射
6) supracritical reflection
临界角后的反射
补充资料：BCS临界温度`T_c`公式（formulaofBCScriticaltemperature$T_c$）
BCS临界温度`T_c`公式（formulaofBCScriticaltemperature$T_c$）
简称BCSTc公式。在弱耦合条件下所给Tc公式为：
`k_BT_c=(1.14)\hbar\omega_Dexp(-1//N(0)V)`
由此知Tc∝ωD，ωD为德拜频率。但$\omega_D\proptoM^{-1/2}$，M为同位素原子质量。实验指出，Tc∝M-α，对一般元素α=1/2。故上式给出了超导的同位素效应。实验结果又显示，当N(0)V≤0.2时，BCS理论结果与实验的符合很好；0.20＜N(0)V＜0.3时有1的误差；N(0)V＞0.3时则误差增大较迅速。这里N(0)和V分别是T=0K时费米面上一种自旋取向的态密度和电子间净的有效吸引相互作用势强度。所以Tc受弱耦合($N(0)V\lt\lt1$)的限制，其最高Tc也受到限制，不能接近ωD的最高值所对应的Tc。BCS理论机制估计的最高Tc一般约30K左右，对金属氢估计可达252K。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条