1) Complementary bipolar
互补双极
1.
The process is compatible to the existing double poly-silicon self-aligned NPN transistor process,which can be used to fabricate high-performance complementary bipolar circuits.
该工艺与已有的双层多晶硅自对准NPN晶体管工艺相兼容,可用于制造高性能的互补双极电路。
2) Complementary bipolar CMOS
互补双极CMOS
3) Complementary bipolar process
互补双极工艺
4) Bipolar complementary process
双极互补工艺
5) complementary bipolar-transistor pair
互补双极型晶体管对
6) junction isolated-comple-mentary-bipolar(JICB)
结-绝缘-互补-双极工艺
补充资料：“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强
“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强
物理学术语。原子核外层中不成对的电子质量小，但磁动性很强，可使局部磁场波动增强，促使氢质子弛豫加快，从而使T1和T2缩短，这种效应即为PEDDPRE。过渡元素和镧系元素大部分在d和f轨道有多个不成对电子，所以其离子往往具有PEDDPRE，可用来作顺磁性对比剂，如钆(Gd)。Gd在外层有7个不成对电子，具有很强的顺磁性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条