1) phase changing capacity
相位变化量
2) differentiation of relative phase with offset
相对相位道间变化量
3) phase variation
相位变化
1.
The phase variation of the HR films was calculated and the influence of the phase of coatings on optical devices was investigated.
计算了高反薄膜的相位变化，分析了光学薄膜的相位对光学器件的影响。
2.
The scheme uses phase variations of received pilot signals, strongly related with f_D in a fading environment.
提出了WCDMA系统中一种利用信道估计相位变化的统计信息来估计最大多普勒频移的自适应方法,并在分析相对误差的基础上给出了校正公式。
4) phase change
相位变化
1.
From the phase changes of the electric field\'s componentsof the reflection wave,analysis the conditions of "half wave loss" of the reflection wave.
由反射波电场分量的相位变化,分析电磁波反射时产生半波损失的条件。
5) change of phase
相位变化
1.
This paper discusses the change of phase of reflection on the uniaxial crystal when optical axial is parallel with the incident plane.
讨论了当界面由各向同性媒质和单轴晶体构成，并且晶体的光轴与入射面平行时，反射光的相位变
6) phase quantization
相位量化
1.
A multi-bit phase quantization simulation technology and applications
多比特相位量化仿真技术及应用研究
2.
And phase quantization plays an important role in it.
相位量化是比相测向系统中的重要组成部分,实现方法主要有极性相位量化法和幅度相位量化法。
3.
An analysis of the multibit phase quantization technique and sampling processing is given in this paper.
对多比特相位量化技术及采样过程进行理论分析,推导出DRFM谐波与交调信号的表达式,进行了计算机仿真试验,分析不同量化位数和不同采样率对信号频谱结构的影响。
补充资料：电容量变化率
分子式：
CAS号：
性质：电容量随温度变化的程度。电容量变化率ΔC的表达式为ΔC=C2-C1/C1×100％。式中C1为室温(20±5)℃时的电容量；C2为温度-25℃或-55℃或(+85±5)℃时的电容量，II型陶瓷电容器的电容量随温度变化而波动的范围较大，ΔC为-25％或+85％。新型陶瓷电容器，即III型钛酸锶(SrTiO3)陶瓷电容器的电容量变化率ΔC≤10％(-55～+85)℃。ΔC也称电容量的相对变化率。
CAS号：
性质：电容量随温度变化的程度。电容量变化率ΔC的表达式为ΔC=C2-C1/C1×100％。式中C1为室温(20±5)℃时的电容量；C2为温度-25℃或-55℃或(+85±5)℃时的电容量，II型陶瓷电容器的电容量随温度变化而波动的范围较大，ΔC为-25％或+85％。新型陶瓷电容器，即III型钛酸锶(SrTiO3)陶瓷电容器的电容量变化率ΔC≤10％(-55～+85)℃。ΔC也称电容量的相对变化率。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条