1)  EOS
电过应力
1.
To investigate the influence of electrical overstress(EOS) on the reliability of power MOSFETs,failure analysis is employed to assess the reliability of devices,including defects related to solder void,gate openings,and die cracks.
为了研究电过应力对功率MOSFET可靠性的影响,分别对含有焊料空洞、栅极开路和芯片裂纹缺陷的器件进行失效分析与可靠性研究。
2)  conduction process
导电过程
1.
The conduction process and the equivalent barrier height in ZnO-Bi_2O_3 based varistor ceramics;
ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷的导电过程与等效势垒高度
3)  power generation
发电过程
4)  electrofiltration
电过滤
5)  discharge process
放电过程
1.
Discharge processes of plasma display panel(PDP) in three major cases,such as the surface discharge,the opposite discharge and the discharge of shadow mask PDP,were studied,respectively.
采用放大单元的方法研究了表面放电结构、对向放电结构和新型荫罩式等离子体显示屏(SMPDP)的放电过程。
2.
Studies on lightning discharge processes are the foundation for the accurate simulation of lightning strike process,and the rapid development of high-speed video technology provides a good way to the observation studies on lightning discharge processes.
雷电放电过程的研究是准确仿真模拟雷击过程的基础,高速摄像技术的快速发展为雷电放电过程观测研究提供了有力手段。
6)  EOS
电过力
1.
The paper described the electrical-over-stress failure mechanism by separating it into EOS and ESD.
本文将IC电过力失效机理划分为EOS和ESD分别进行阐述,EOS和ESD2种失效模式的相似使得对它们失效机理的判断变得困难,但借助SEM和FIB等先进的成像设备可以揭示2种失效机理的重要差别。
参考词条
补充资料:介电应力
分子式:
CAS号:

性质: 绝缘材料受到电场作用时,在材料内部由于带电质点之间库仑力、电致伸缩效应或诱导极化产生应变等原因所引起的应力、现象。以电场强度的单位表示,即V/cm。有些脆性材料在远低于击穿强度时,在电场造成的机械应力作用下,介质也可能破坏。对于压电体,在外电场作用下,通过逆电压电效应产生应变及应力,应力的大小与压电效应的强弱、外电场及边界条件有关。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。