1) InGaAs/InP
InGaAs/InP
1.
Device Model and Its Numerical Simulation of InGaAs/InP SAGCM-APD;
InGaAs/InP SAGCM-APD的器件模型及其数值模拟
2.
The Study on Multiple Quantum Well of TensileStrained InGaAs/InP Grown by LP-MOCVD;
LP－MOCVD生长伸张应变InGaAs／InP多量子阱的研究
3.
The effect of junction depth on responsivity in InGaAs/InP detectors was studied.
研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的I-V特性和光响应度。
2) InGaAs/InP cells
InGaAs/InP电池
3) InGaAs/InP detector
InGaAs/InP PIN光探测器
4) InGaAs/InP APD detector
InGaAs/InP雪崩光电二极管探测器
补充资料：indium phosphide (inp)
CAS：22398-80-7
中文名称：磷化铟；磷化铟晶体INP
英文名称：indium phosphide；indium monophosphide；indium phosphide (inp)
中文名称：磷化铟；磷化铟晶体INP
英文名称：indium phosphide；indium monophosphide；indium phosphide (inp)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。