1) 4H-SiC MESFET
4H-SiC金属外延半导体场效应晶体管
2) SiC MESFET
SiC MESFET(碳化硅金属半导体场效应管)
3) MISFET
金属-绝缘体-半导体场效应晶体管
1.
The selective etching solution is applied to the fabrication of undoped-GaAs/n-GaAs modulation-doped channel MISFET.
利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体-半导体场效应晶体管,获得了很好的器件特性参数,证明了这种腐蚀溶液适合于器件制备中的栅挖槽工艺。
4) metal-ferroelectric-semiconductor(MFS)
金属-铁电体-半导体场效应晶体管
6) MOSFET
['mɔsfet]
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
1.
An efficient,self-consistent method of Monte Carlo and Poisson equation is used to simulate the electrical characteristic of deep submicron metal-oxide-semiconductor field effect Transistor(MOSFET).
用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管——MOSFET的电特性进行了模拟。
补充资料：外延（epitaxy）
外延（epitaxy）
外延是一种晶体生长方法，它是在一定条件下使原子规则地排列在单晶衬底上，形成结构完整，与衬底取向相同，并有一定厚度的单晶层的方法。外延技术既可用于生长与衬底材料相同的单晶层（同质外延），亦可用于生长与衬底材料不同的单晶层（异质外延）。由于采用的方法不同，外延又可分为固相外延、液相外延、气相外延和分子束外延等。气相外延普遍应用在硅晶体管、硅集成电路和砷化镓微波器件、砷化镓集成电路的制造中；分子束外延在制备超晶格量子阱结构中有重要作用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条