1) silicon gate
硅栅
1.
The etching process for the 90 nm polycrystalline silicon gate was developed on the bases of a given layer stack pattern wafer with a hard-mask consisting of oxidation layer,polycrystalline silicon,SiO2 and SiON.
重点以具有栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅和氮氧化硅复合硬掩膜层的典型结构图形晶片为基础,开展应用于90 nm技术节点的多晶硅栅的刻蚀工艺的研发,深入分析了氯气、溴化氢和氧气等反应气体在工艺中的作用,优化了工艺参数,得到了满足90 nm技术节点工艺要求的刻蚀结果。
2) Si-gate PMOSFET
硅栅PMOSFET
1.
Measurement of Radiation-induced Interface Traps on BF_2~+ Implanted Si-gate PMOSFET;
利用亚阈测量技术对BF+2 注入硅栅PMOSFET辐射感生界面陷阱进行了测量。
3) silicon gate CMOS
硅栅CMOS
5) silicon grating
硅光栅
6) nitride gate
氮化硅栅
补充资料：二氯二甲基硅烷与二氯二苯基硅烷、三氯甲基硅烷、三氯苯基硅烷和三氯苯基硅烷的聚合物
CAS：28630-33-3
分子式：(C12H10Cl2Si·C6H5Cl3Si·C2H6Cl2Si·CH3Cl3Si)x
中文名称：二氯二甲基硅烷与二氯二苯基硅烷、三氯甲基硅烷、三氯苯基硅烷和三氯苯基硅烷的聚合物
英文名称：Silane, dichlorodimethyl-, polymer with dichlorodiphenylsilane, trichloromethylsilane and trichlorophenylsilane silane, dichlorodimethyl-, polymer with dichlorodiphenylsilane, trichloromethyl
分子式：(C12H10Cl2Si·C6H5Cl3Si·C2H6Cl2Si·CH3Cl3Si)x
中文名称：二氯二甲基硅烷与二氯二苯基硅烷、三氯甲基硅烷、三氯苯基硅烷和三氯苯基硅烷的聚合物
英文名称：Silane, dichlorodimethyl-, polymer with dichlorodiphenylsilane, trichloromethylsilane and trichlorophenylsilane silane, dichlorodimethyl-, polymer with dichlorodiphenylsilane, trichloromethyl
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条