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1)  electrical bistability
电双稳特性
1.
The reversible electrical bistability of a new organic thin film device with a metal/organic/metal sandwich structure is investigated.
研究了一种金属/有机物/金属夹层结构有机薄膜器件的可逆电双稳特性
2)  reversible electrical bistability
可逆电双稳特性
3)  bistable characteristics
双稳特性
4)  electrooptic bistability
双稳电光开关特性
5)  bistable characteristic
双稳态特性
1.
The bistable characteristics are obtained and analyzed in details.
采用基于物理意义的电流 -电压方程 ,利用通用电路模拟软件 PSPICE,建立了其直流电路模型 ,模拟结果和实验数据吻合得很好 ;并以此为基础模拟出了以 RTD为驱动器 ,以电阻或 RTD本身为负载的电路双稳态特性 ,同时分析了 RTD器件双稳态特性 。
6)  optical bistability characteristics
光学双稳态特性
1.
The correlation between photo-negative resistance characteristics and optical bistability characteristics of silicon photoelectronic negative resistance devices (SPNRDs) is analyzed.
文章对电阻为负载时 ,硅光电负阻器件 (SPNRD)的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析。
补充资料:似稳电磁场
      交变电流的频率较低时,在电流附近,与之相距比该频率的电磁波在真空中的波长少得多的区域内,可以忽略电磁场的推迟效应,这样的区域中的电磁场即为似稳场或准稳场。
  
  根据电磁场理论,变化的磁场要产生电场,变化的电场要产生磁场。前者是电磁感应的作用,后者是位移电流的作用,两者相互作用便产生电磁波,以有限速度&υ(光速)向周围传播, 从而也就产生推迟效应。推迟效应是指在与产生此电磁场的电流i(假定电流所在回路的线度非常小)相距为r的地点,在时刻t由该电流产生的电磁场决定于(t-r/&υ)时,即比时刻t早r/&υ的时刻的电流值。对于频率为f的交流电流,当延迟时间r/&υ比周期T=1/f小很多时,推迟引起的效应很小,可以忽略。
  
  忽略推迟效应也就是忽略了电磁波的传播速度,这样的电磁场就近似地由电流按毕奥-萨伐尔定律决定。忽略电磁波的传播效应就相当于将位移电流产生磁场和变化的磁场产生电场这两方面的效应的某一个方面忽略。在实际问题中,可以忽略哪一方面则视具体问题而定。
  
  在均匀介质中,当自由电荷的体密度为零时,似稳电磁场满足扩散方程
  
  (1)
  式中γ、μ分别为介质的电导率和磁导率,而在绝缘介质中γ=0,似稳场满足拉普拉斯方程
  
  (2)则与恒稳电磁场满足同样的方程。在一定的频率下,
  
  式(1)便成为亥姆霍兹方程
  
   (3)
  式中。
  
  导体中的电磁场一般可由方程(1) 或在正弦稳态下由方程(3)以及相应的边界条件、初始条件求解。有代表性的情况是载交流电的粗导线中的电流沿截面的分布不均匀;有交变磁通穿过的导体中的磁通沿截面的分布不均匀,电流密度、磁通密度在愈靠近导体外表面处愈大,愈深入导体内部处愈小,这就是趋肤效应。
  
  似稳场概念在建立电工设备的电路变换模型时尤其有用。在工频交流电(50Hz) 时,电磁波在真空中的波长为6000km。一般电工设备的尺寸与之相比是很小的。因此,在尺寸远比其工作频率下电磁波长为小的设备周围的电磁场可以看作似稳场,因而可以用似稳场方法建立各种电工设备实物的集总参数电路模型,计算模型中各电路元件的参数。
  

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