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1)  quantum well(QW)
量子阱(QW)
2)  semiparabolic quantum well(QW)
半抛物量子阱(QW)
3)  Quantum well
量子阱
1.
Resonant modes in quantum well structure composed of photonic crystals with different lattice constants;
不同晶格常数光子晶体构成的光量子阱中的共振模
2.
Optical properties and material growth of GaAs(110) quantum wells;
GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性
3.
Light emitting model of GaN LED quantum well;
GaN LED量子阱光发射模型
4)  photonic quantum well
光量子阱
1.
Modulated photon confined states with graded-index photonic quantum well structure;
渐变折射率光量子阱对束缚态能级的调整
5)  Multiple Quantum wells
多量子阱
1.
Room-temperature photoluminescence of ZnO/MgO multiple quantum wells deposited by reactive magnetron sputtering;
反应磁控溅射ZnO/MgO多量子阱的光致荧光光谱分析
2.
GaAs/AlGaAs(110)multiple quantum wells(MQWs)were grown by solid source molecular beam epitaxy(MBE)with a valved arsenic cracker cell.
采用固态源分子束外延的方法在GaAs(110)取向衬底上生长了GaAs/Al GaAs多量子阱结构。
3.
The DR spectra of GaAs/Al 0 25 Ga 0 75 As multiple quantum wells (MQWs) samples were measured experimentally.
利用振动光束差分反射测试系统 ,获得了 Ga As/Al Ga As多量子阱材料的 DR谱 ,初步分析了 DR信号的产生机制 。
6)  multi-quantum well
多量子阱
1.
Analyzing the unstable reason of GaN-based blue light LED peak wavelength,it was the quantum restrictionStark effect caused by the multi-quantum well area.
分析了引起GaN基蓝光LED峰值波长不稳定的原因,它是由多量子阱区内极化效应引起的量子限制斯塔克效应造成的。
2.
To verify the direct-gap transition of a SiGe multi-quantum well and grope for its application in thermophotovoltaic cells,a high quality SiGe multi-quantum well is grown by our UHV-CVDⅡ system.
为了验证SiGe多量子阱的能带向直接带隙结构转变[1]和进一步探索其在热光电池领域的应用,采用先进的超高真空化学气相沉积系统生长出高质量的SiGe多量子阱外延层,并对其进行多次反射红外线吸收谱的测量。
3.
Based on the logarithmic relation of gain on carrier density,the rate equations are described for multi-quantum well of vertical cavity surface emitting lasers(VCSELs) taking into account the influence of nonradiative depopulation rate.
采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程。
补充资料:Qw(前卫)-4

qw(前卫)-4

“前卫”-4是前卫系列研制中最新的型号,他和以前的型号最大的不同在于采用了红外成像导引头,比普通的点元红外探测器有更好的性能。由于普通的单元/多元红外探测器只能探测点状热信号,一般对喷气式飞机的尾气热辐射敏感,即使带冷却的红外单元/多元导引头也只能探测到后机身的蒙皮。号称全向攻击的单元红外探测器在探测迎头飞行目标时普遍存在30度左右的盲区,使导弹的迎面攻击距离大大低于导弹的实际飞行距离,使性能大打折扣。而红外成像导引头的出现解决了这个问题,因为他探测靠目标和背景的辐射率不同,而且制导信息源是图象,难以被干扰,而且具有更远的探测距离和真正的全向攻击能力。所以说,红外成像导引头将是未来红外制导导弹的发展趋势。

此外,qw-4还采用了激光近炸+碰炸引信和电动舵。与无线电近炸和红外近炸引信相比,激光近炸引信的抗干扰能力更强,较好地解决了超低空飞行引信容易误启动的现象,和单纯采用碰炸引信的便携式防空导弹相比,近炸引信可以使导弹在目标旁边引爆,非常适合打击巡航导弹这类难以直接命中小型目标。而电动舵的采用使导弹控制系统作动装置更为简单,而且具有更平滑的飞行曲线,有利于提高命中精度。导弹的作战距离是500~6000m,作战高度是4~4000m,其作战高度低界达到了4m,非常有利于攻击超低空飞行目标和掠海飞行的导弹和离地面2-3米悬停的直升机。2马赫的飞行速度也老型号有所提高,可以攻击更快的飞行目标和具有更大的作战空域。可以说qw-4的出现,使我们和西方先进国家的最新便携式防空导弹站在了同一水平。我们有理由相信qw-4将是未来便携式防空导弹市场的有力竞争者。

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