1)  InGaP
InGaP
1.
Wet etching of GaAs/InGaP heterointerfaces;
GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀
2.
4 GHz 300 mW InGaP/GaAs Power HBTs;
4GHz 300mWInGaP/GaAs HBT功率管研制
3.
10Gbps Transimpedance Amplifier for Optoelectronic Receivers Based on InGaP/GaAs HBTs;
基于InGaP/GaAsHBT的10Gbps跨阻放大器(英文)
2)  InGaP/GaAs
InGaP/GaAs
1.
Structure and properties of InGaP/GaAs epilayers grown by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source;
分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能
2.
DESIGN AND FABRICATION OF InGaP/GaAsDUALJUNCTION SOLAR CELLS;
InGaP/GaAs双结太阳电池的研制
3.
Design and Fabrication of InGaP/GaAs Tandem Solar Cells;
InGaP/GaAs串接太阳电池的设计与研制
3)  InGaP/GaAs HBT
InGaP/GaAsHBT
1.
A new simplified VBIC model for a single- or a multi-finger InGaP/GaAs HBT is presented.
测量和模型仿真I -V特性及其在多偏置条件下多频率点S 参数对比结果表明,DC~9GHz频率范围内,简化后的模型可对InGaP/GaAsHBT交流小信号特性进行较好的表征。
2.
A 10Gb/s driver IC for optic modulator has been implemented using our 4-inch InGaP/GaAs HBT process.
采用自行研发的 4英寸InGaP/GaAsHBT技术 ,设计和制造了 10Gb/s光调制器驱动电路 。
4)  InAsP/InGaP
InAsP/InGaP
1.
Researching development of InAsP/InGaP Strain compensated Quantum Well;
InAsP/InGaP应变补偿量子阱的研究进展
5)  InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT
InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT
1.
Abstraction of Small Signal Equivalent Circuit Parameters of Enhancement-Mode InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT;
增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT小信号等效电路参数的提取(英文)
6)  InGaP/GaAs HBT model
InGaP/GaAsHBT模型
参考词条
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：

性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。