1) nonlinear Kalman filter
非线性Kalman滤波器
2) nonlinear Kalman filtering
非线性Kalman滤波
3) linear Kalman filter
线性Kalman滤波
4) Kalman filter
Kalman滤波器
1.
Application of Kalman filter to measurement of sound power for medical ultrasonic diagnostic equipment;
Kalman滤波器在医用超声诊断设备声功率计量中的应用
2.
Self-tuning decoupled fusion Kalman filter based on Riccati equation;
基于Riccati方程的自校正解耦融合Kalman滤波器
3.
Application of Kalman Filter in a Single Automatic Tracking of Moving Targets;
Kalman滤波器在单运动目标自动跟踪中的应用
5) Kalman filtering
Kalman滤波器
1.
Multiple model Kalman filtering for MEMS-IMU/GPS integrated navigation;
MEMS-IMU/GPS组合导航中的多模态Kalman滤波器设计
2.
In this paper,a Kalman-CS scene-based correction algorithm which combines the Kalman filtering algorithm with the constant-statistics (CS) algorithm is proposed.
本文将Kalman滤波器校正算法与常数统计(CS)校正算法相结合,提出了Kalman-CS校正算法。
3.
A new interval Kalman filtering (IKF) is described firstly, then uncertain dynamics modelling of an integrated GPS/INS system is discussed.
针对具有不确定动态模型参数的GPS/INS组合导航系统,首先介绍一种新型的区间Kalman滤波器,讨论了GPS/INS组合系统中模型参数不确定性的问题,分析了惯性传感器建模中相关时间常数的区间特性,并建立了适合非线性特性的GPS/INS组合系统的扩展区间卡尔曼滤波器。
6) Kalman filter
Kalman 滤波器
1.
Comparing with Kalman filter the strong tracking filter is well in adaptive maneuvering target and dependance on the choice of model.
在与传统的 Kalman 滤波器相比,强跟踪滤波器在机动目标的适应,运动模型的依赖性方面都有了很大的提高。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条