1) PNP semiconductor triode
PNP型晶体三极管
1.
According to the principle of PNP semiconductor triode,the method to determine the active status of the PNP triode in Emitter-Biased Amplifier can be investigated by using quantitative relations of equivalent supply voltage,quiescent voltage and the break-over voltage of Base-Emitter of the trioder.
根据PNP型晶体三极管的工作原理,借助等效电源电压和射极偏置放大器中晶体三极管静态工作点电压、基射极导通电压之间大小关系,研究了确定射极偏置放大器中PNP型晶体三极管工作状态的方法,提出了一种简易可行的判据。
2) PNP substrate transistor
衬底PNP型双极型晶体管
1.
The temperature related model and the influencing factor of two temperature sensing devices, subthreshold MOSFET and PNP substrate transistor, based on CMOS process were analyzed and compared, and pointed out that the PNP substrate .
对CMOS工艺下的两种感温元件,即亚阈值工作状态下的金属场效应晶体管(MOSFET)及衬底PNP型双极型晶体管(BJT)的温度模型和影响因素进行了分析和比较,指出了衬底PNP型BJT更适合作为温度传感器的温度敏感元件。
3) P-N-P transistor
PNP型晶体管
4) the substrate PNP bipolar transistor
衬底PNP双极型晶体管
5) p-n-p semiconductor triode
PNP半导体三极管
6) ultra-β PNP transistor
PNP型超β晶体管
1.
The design makes the ultra-β PNP transistors work in the low Uce,low Ic1 micro-power state,and takes choice of low-noise measures such as resistive and capacitive components,and then the corresponding circuit is introduced.
对于一款为低阻抗信号源设计用分立元件组成的前置放大器的低噪声设计要点作了较为详细的阐述,设计据级联放大器理论,重点是降低第一个晶体管的噪声系数,为此选择PNP型超β晶体管,并使之工作在低Uce,低Ic1的微功耗状态,并采取低噪声阻容元件等措施。
补充资料：晶体三极管
| 晶体三极管 transistor 固态电子器件。由半导体材料制成的有源三端器件。是固态电子器件的一种。简称晶体管。1948年，美国J.巴丁、W.H.布喇顿和W.B.肖克莱发明了晶体三极管。次年，肖克莱提出PN结和面结型晶体管理论。此后随着半导体工艺技术不断成熟和发展，相继出现了不同结构的晶体三极管。晶体管按其内部导电机制分为双极型和场效应的两大类。双极型晶体管是一种电流控制器件，开关速度快，但输入阻抗低，功耗大。场效应晶体管是一种电压控制器件，输入阻抗高，功耗小，但开关速度较慢。晶体管几乎能完成电子管的所有功能，诸如放大、整流、振荡、开关等。同电子管相比，它具有体积小、重量轻、耗电少和高可靠等特点，广泛应用于各种电子电路中，是构成集成电路的基础元件。用于制作晶体管的半导体材料有锗、硅、砷化镓。硅晶体管平面工艺较成熟，常用于制造大规模和超大规模集成电路；砷化镓晶体管开关速度快，常用于制造超高速集成电路。锗晶体管发展较早，已不常用。
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参考词条