1) N-AlxGa1-xN
N-AlxGa1-xN材料
2) Al_xGa_(1-x)N
AlxGa1-xN
1.
The effect of strain on band structure and bowing parameters of Al_xGa_(1-x)N which is pseudomorphically strained was analyzed theoretically.
在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结构和跃迁能。
3) AlxGa1-xN layer
AlxGa1-xN薄膜
1.
The AlxGa1-xN layers are crackfree with a mirror-like surface when x>0.
生长的高Al组分AlxGa1-xN薄膜已用于研制64×64元日盲型紫外探测器焦平阵列。
4) Al x Ga 1-x N/GaN heterostructure
AlxGa1-xN/GaN异质结构
5) Al_xGa_ 1-x N/GaN double quantum wells
AlxGa1-xN/GaN双量子阱
6) GaN/Al_xGa_(1-x)N quantum dots
GaN/AlxGa1-xN量子点
补充资料：材料界面(见材料表面)
材料界面(见材料表面)
interface of materials
材料界面interfaee of materials见材料表面。
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参考词条