1) emission microscopy
发光显微镜
1.
The emission microscopy (EMMI) test is proposed as an effective method to control the polysilicon over-etching time of advanced CMOS processing combined with a novel test structure,named a poly-edge structure.
通过结合发光显微镜(EMMI)测试和poly-edge电容测试结构很好地控制了多晶硅刻蚀时间,避免了栅极氧化膜的早期失效。
2) photoemission microscope
光电发射显微镜
3) dissecting microscope,microscope
显微镜<光>
5) Photoemission electron microscopy
光发射电子显微镜
1.
Photoemission electron microscopy(PEEM),a newly developed surface probe in the early 90′s,is capable of in situ observing changes in local work function of the sample surface in a catalytic reaction in real time,and providing valuable information on reaction dynamics.
光发射电子显微镜是 90年代初发展起来的一种新的表面原位技术 ,它能够在多相催化反应过程中原位、动态观察样品表面局域功函数的变化 ,从而获得反应动力学的信息。
6) photo-emission electron microscopy
光发射电子显微镜检查
补充资料：显微镜19世纪中期的显微镜
[图]
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条