4) Electronic-Operation Maintenace System(E-OMS)
电子运行维护系统
1.
With the development of a certain communication enterprise s Electronic-Operation Maintenace System(E-OMS),a solution on the hibernate-based data persistence was proposed and its implementation was also given.
详细探讨了目前流行的Hibernate映射框架,结合某通信企业的电子运行维护系统(E-OMS)的开发,提出了基于Hibernate的数据持久层解决方案,并给出具体实现。
5) E-OMS
电子运维系统(E-OMS)
1.
Based on the analyses of the problems in the management of the Internal network operation and maintenance of the current communication business,the researchers put forward the idea of the E-OMS under convergent management propelled by business.
通过分析当前通信运营业务不断发展过程中内部网络运行维护管理所面临的问题,提出了一种以业务为驱动的集中式管理的电子运维系统(E-OMS),给出了系统的设计总体架构,强调了工作流技术是企业信息化建设上新台阶的重要保障。
6) electron transport
电子输运
1.
First Principle Investigations on Electron Transport Through Single Molecule;
单分子电子输运性质的第一性原理研究
2.
First-principles investigations on the electron transport of a TaSi_3 cluster
钽硅团簇电子输运性质的第一性原理研究
3.
The results show that electron-acceptor group(-NO2) can cause the location of LUMO and influence the electron transport in molecular wires.
结果显示吸电子基可以引起LUMO的定域化,从而对分子线的电子输运产生了影响。
补充资料：二维电子气
当半导体表面上加一个与表面垂直的电场，在表面附近形成电子势阱，其中就会积累起大量的电子。如果表面上的电场很强，这些电子形成一个薄层（厚度小于10-6 厘米）。这时电子沿垂直于表面方向的运动变得量子化，即它的能量只能取一系列的分立值；而平行于表面的运动仍是自由的，能量可以是任意值。这样一个薄的电子层称为二维电子气。例如金属-氧化物-半导体结构中的反型层和积累层，以及在两种不同半导体形成的异质结界面附近都会形成二维电子气。
二维电子气中，电子的总能量为垂直于表面运动的能量（分立值）与平行于表面运动的能量（可以连续变化）之和，这一系列能量状态形成许多个子能带。在很低的温度下，二维电子气呈现一系列特异的量子效应。如果垂直于表面加一个强磁场，每个子能带会变成一系列朗道能级，成为能量完全分立的系统。半导体表面附近有时也会积累起大量的空穴，这时会形成类似的二维空穴气。
1957年，J.R.施里弗从理论上预示了反型层电子的二维运动特性，1966年，A.B.福勒尔等人从实验上证实了这一论述。此后物理学家们进行了大量的理论和实验研究工作。1980年,K.克利钦发现二维电子气的霍尔电阻特性具有量子化的"平台"，其数值精确地等于基本常数h/e2的N分之一（h为普朗克常数,e为电子电荷，N为正整数）。h/e2具有电阻的量纲（约25812.8欧）,因此量子霍尔电阻可能用来作为电阻的自然基准，并且有不受环境条件影响的优点。1982年，美国贝尔实验室的科学家们又发现霍尔平台可以出现在N 取1/3和2/3等分数值的情况。对二维电子气的这些重要物理特性的研究促进了固体物理学的发展。对二维电子气的深入研究有助于了解它的基本物理过程。由于半导体异质结界面处二维电子气中的电子迁移率很高，1980年以来已被利用来研制超高速电子器件。
二维电子气中，电子的总能量为垂直于表面运动的能量（分立值）与平行于表面运动的能量（可以连续变化）之和，这一系列能量状态形成许多个子能带。在很低的温度下，二维电子气呈现一系列特异的量子效应。如果垂直于表面加一个强磁场，每个子能带会变成一系列朗道能级，成为能量完全分立的系统。半导体表面附近有时也会积累起大量的空穴，这时会形成类似的二维空穴气。
1957年，J.R.施里弗从理论上预示了反型层电子的二维运动特性，1966年，A.B.福勒尔等人从实验上证实了这一论述。此后物理学家们进行了大量的理论和实验研究工作。1980年,K.克利钦发现二维电子气的霍尔电阻特性具有量子化的"平台"，其数值精确地等于基本常数h/e2的N分之一（h为普朗克常数,e为电子电荷，N为正整数）。h/e2具有电阻的量纲（约25812.8欧）,因此量子霍尔电阻可能用来作为电阻的自然基准，并且有不受环境条件影响的优点。1982年，美国贝尔实验室的科学家们又发现霍尔平台可以出现在N 取1/3和2/3等分数值的情况。对二维电子气的这些重要物理特性的研究促进了固体物理学的发展。对二维电子气的深入研究有助于了解它的基本物理过程。由于半导体异质结界面处二维电子气中的电子迁移率很高，1980年以来已被利用来研制超高速电子器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条