1) differential voltage reference
差分基准电压源
2) Differential voltage reference source
差分基准源
3) voltage reference
电压基准源
1.
With the trend of low-power,low-voltage in IC design,conventional bandgap voltage reference will not be the most suitable candidate any more.
设计了一种非带隙结构的电压基准源,并对该基准源作了电源抑制特性的理论分析。
2.
A CMOS voltage reference circuit operate under sub-threshold state has been presented in this paper and analysising the limitation of MOSFET when it works in sub-threshold condition.
文章设计了一种工作在亚阈值状态下的CMOS电压基准源,分析了MOSFET工作在亚阈区的电压和电流限定条件。
3.
Based on the analysis of conventional CMOS bandgap voltage reference,by combining the curvature compensation technique,a lowsupply CMOS bandgap voltage reference circuit,with the use of bulkdriven opamp as the feedback amplifier is proposed.
基于传统CMOS带隙电压基准源电路的分析,结合曲率补偿技术设计了一种带衬底驱动运算放大器的低电源电压的电压基准源电路,主体电路采用电流模式基准源结构,并结合所采用的衬底驱动运放作为基准源的负反馈运放。
4) Voltage reference
基准电压源
1.
The design of one low temperature-shift voltage reference;
一种低温漂基准电压源的设计
2.
The investigation and design of the voltage reference block on the integrated voltage stabilizer;
集成稳压器中基准电压源模块的研究与设计
3.
In order to effectively decrease the power consumption of analog integrated circuits and improve the technology compatibility,a design method of low-voltage low-power consumption voltage reference with fully CMOS configuration is presented based on the MOS transistors in sub-threshold region.
为了有效降低模拟集成电路的功耗,提高工艺兼容性,文中提出了一种全CMOS结构的低电压、低功耗基准电压源的设计方法。
6) bandgap reference
带隙基准电压源
1.
A bandgap reference circuit with the nominal reference voltage adjusted accurately
一种中心值精确可调的高性能带隙基准电压源
2.
A design of a low voltage bandgap reference in 0.
13μmCMOS工艺设计了一种适合于SOC的低压高精度带隙基准电压源。
3.
A high precision,low temperature coefficient and low power bandgap reference with a start-up circuit is designed on the charter 0.
35μm标准CMOS工艺,设计了一种带自启动电路的高精度、低温漂、低功耗带隙基准电压源。
补充资料：约瑟夫森结阵电压基准
约瑟夫森结阵电压基准
voltage primary standard based on Josephson junction array
丫旧”fusen」泊2油nd泊n四jizhun约恶夫森结阵电压甚准(volt叫奖prin返叮stsn-d田d址曰刃onJ姗灿即njunction an习y)以约瑟夫森效应为基础建立的电压标准，由于以量子现象为依据，所以又称为量子电压基准。 在极低温度(例如液氮温度)下，有些金属的电阻实际变为零，这种状态称为超导态，这种金属则称为超导体。如果两超导体间隔以0.Inrn一3nrn的绝缘层，称这两超导体为弱祸合，这样的器件后来被称为约瑟夫森器件或约瑟夫森结。l%2年英国学者B.D.约瑟夫森从理论上预言，当电子对(又称库拍对)穿越两超导体之间这一极薄的绝缘阻挡层时，将会有如下效应:①当一直流超导电流(其最大值称为临界电流I)通过上述阻挡层时，没有电压降产生。这现象称为直流约瑟夫森效应，是1肠3年P.W.安德森和J.M.罗威尔通过实验观察到的。②当在约瑟夫森结的两端加一定直流电压U时，除了产生通常的传导电流外，在约瑟夫森结处还出现频率为石的交流超导电流，频率为和所加直流电压的关系为: ，，Ze11二U写~~‘.n式中。为基本电荷，h为普朗克常量。这一现象是5.萨皮罗于1%3年首先观察到的，故又称萨皮罗台阶(如图所示)。第n个(n为整数)台阶处的电压为 ，hU一二时l人，==叮二r~ ，二‘e式中KJ称为约瑟夫森常数，它是n二1时的约瑟夫森频率对电压的商。理论和大t实验表明KJ是个普适常数，精确等于2e/h，且在很高的精确度内没有发现它随实验变量(如台阶数、频率、超导材料辐射功率等)的改变而变化。约瑟夫森结是一个完美的频率一电压转换器，其比例常数是不变的基本物理常数比(2e/h)。由于频率能以很高准确度测定，如果KJ准确已知的话，就可利用它来复现和保存伏特单位量值。 I 约瑟夫森结和萨皮罗台阶示惫图 1988年，国际计1局电学咨询委员会(CCEM)根据包括中国在内的6个国家通过电单位绝对侧t所得的8个KJ的数据和用基本物理常数组合计算得到的两个结果，平差得: KJ_.二483 597 .9 GH公V国际计量委员会决定从19叭)年l月l日起统一启用该数值，通过约瑟夫森电压标准装t来复现电压单位量值。该值的标准偏差(即与SI真值的符合程度)为4xlo“’。决定并没有对伏特单位进行重新定义，只是规定了用准确度和复现性更高、不随时间变化的t子电压基准代替传统的标准电池组来保存和复现电压单位量值。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条