1) optically pumped vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor lasers
光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器
1.
By using these mode-locking devices on novel thin-disk solid state lasers and optically pumped vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor lasers(OPS-VECSEL) to obtain high average output power ultrashort pulses are stated,and it is emphasized that the study of high average output power ultrashort pulses laser can be accel.
综述了利用半导体可饱和吸收镜被动锁模薄片式固态激光器及光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器,获得高平均输出功率超短脉冲的最新进展,并指出量子点半导体可饱和吸收镜的使用将加速超短高功率脉冲的发展。
2) optically pumped vertical external cavity surface emitting laser
光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器
3) optically pumped vertical-external cavity surface emitting semiconductor lasers
光抽运垂直外腔面发射半导体激光器
4) VCSEL
垂直腔表面发射半导体激光器
1.
Rate-equation-based VCSEL Thermal Model and Simulation;
基于速率方程的垂直腔表面发射半导体激光器温度模型与仿真
2.
In order to analyse the laser diode(LD) relevant circuit by a unified manner using any general circuit analytical software(such as PSPICE),this paper describes the model of a vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL) based on the rate equations.
建立了一个垂直腔表面发射半导体激光器(VCSEL)的等效电路模型,该模型以半导体激光器的速率方程为基础,将速率方程表征为由线性电路元件组成的等效电路模型。
3.
Based on the rate equation, a VCSEL model is established, which can simulate the thermal effect and spatial hole burning effect.
建立了一个基于速率方程,考虑了热效应、空间烧孔效应的垂直腔表面发射半导体激光器的模型,并根据其物理和几何特性,通过正交变换简化了速率方程的计算,从而得到一个新的高效的面向系统连接的仿真模型,并将此模型用于激光器和光纤之间的耦合。
5) VCSEL
垂直腔面发射半导体激光器
1.
Based on the logarithmic relation of gain on carrier density,the rate equations are described for multi-quantum well of vertical cavity surface emitting lasers(VCSELs) taking into account the influence of nonradiative depopulation rate.
采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程。
2.
Based on changing the logarithmic relation of gain on carrier density, the rate equations were described for multi-quantum well of vertical cavity surface emitting laser (VCSELs) taking into account the influence of nonradiative depopulation rate.
采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程。
6) VCSELs
垂直腔面发射半导体激光器
1.
Rate Equation Analysis of the Multi-quantum Well VCSELs;
多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析
2.
A review is presented of vertical cavity surface emitting lasers(VCSELs),outlining the main structural properties strained quantum wells,microcavity effects,recent developments in the fabrication oxide confined VCSELs,ways to decrease the threshold current of the increase of spontaneous emission,and the properties of three dimensionally closed cavities.
评述了垂直腔面发射半导体激光器研究的最新进展，就其结构特点、应变量子阱结构、超晶格镜面和微腔效应作了简要的论述，探讨了进一步降低半导体激光器阈值的途径，介绍了新型的氧化约束型垂直腔面发射半导体激光器，并对微腔激光器中自发辐射增强效应和三维封闭腔的特性给出了描述，同时展望了该器件的应用及发展前景。
补充资料：大光腔激光器
光学谐振腔较大的异质结激光器，简称 LOC激光器。为了增大光腔以获得较大的脉冲功率，70年代初H.克莱塞尔等在普通双异质结激光器的有源区和光限制层之间加入一个无源波导区。波导区与有源区一起组成谐振腔，有源区与波导区的厚度可以独立地控制。这样，有源区较窄可使它的阈电流较小、效率较高，而光腔大可使它有较小的发射角和较高的脉冲输出功率。图1a为最初研制的一种大光腔激光器各层结构的剖面图。图1b和图1c分别为各层材料的禁带宽度和折射率分布。图中1、2、3、4各层的厚度分别为d1、d2、d3、d4。图2a为分别限制的五层结构大光腔激光器的各层结构，图2b和2c分别为各层材料的禁带宽度和折射率分布。 在大光腔激光器（图1）中，1层和4层的GaAlAs对光和载流子有很好的限制作用，同时N-GaAs对有源区发出的激光辐射的吸收系数低，这两个特点保证了大光腔激光器的阈值电流低和微分量子效率高。由于引入了波导层d2，谐振腔的出光面积由原来的d3×w 增加到(d2+d3)×w(w为器件宽度)。因而在输出功率较大情况下，仍不会超过激光器端面的破坏功率密度。腔面增大还使垂直于结方向的发射角θ减小。这些性能使大光腔激光器在光自动控制、长距离光纤通信、光测距等方面得到应用。 大光腔结构也被应用在制造单模双异质结激光器上。采用光和载流子分别限制的办法，使控制模式和光束大小比较灵活，因而可获得单模高功率输出。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条