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1)  buried-channel
隐埋沟道
1.
The I-V characteristics for SiC buried-channel MOSFETs based on an average mobility model is presented.
提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。
2.
The effects of several factors on mobility in 4H-SiC buried-channel (BC) MOSFETs are studied.
研究了几种因素对4H-SiC隐埋沟道MOSFET沟道迁移率的影响。
2)  buried-channel MOSFET
隐埋沟道MOSFET
1.
Extraction of channel carrier concentration using C-V method for SiC buried-channel MOSFET;
C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度
3)  channeled substrate buried heterostructure laser
沟道衬底隐埋异质结构激光器
4)  ditch conduit
沟埋式管道
1.
Based on the theory of elastic-plastic deformation, according to the finite element method, this paper presents a nonlinear analysis of the distribution of the soil pressure of the ditch conduit.
表明对大型沟埋式管道的上压力,采用弹塑性理论的非线性分析是比较符合实际的,其结果可供设计参考。
5)  Buried-channel
埋沟
6)  buried trench
沟埋
1.
It compared the advantages and disadvantages of the technologies between buried trenches,directional drilling,tunneling,etc.
综述了油气管道河流穿越技术的发展历程和各种穿越施工方法,比较了沟埋、定向钻、隧道等穿越技术的优缺点,并列举了部分工程实例;分析了各种施工方法适用的范围和条件,并提出施工中应注意的问题,对实际设计和施工具有一定的借鉴意义。
补充资料:隐名埋姓
1.同"隐姓埋名"。
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