1) RF-CMOS
RF-CMOS
1.
RF-CMOS Modeling:Parasitic Analysis for MOST On-Wafer Test Structure;
RF-CMOS建模:MOST在片测试结构寄生分析
2) RF CMOS
RF CMOS
1.
Dual-Band RF CMOS Low Noise Amplifier for WLAN Application;
用于无线局域网的双频段RF CMOS-LNA设计研究
3) TSMC 0.25μm RF CMOS
TSMC 0.25μm RF CMOS
4) MS/RF CMOS process
MS/RF CMOS工艺
5) RF
RF
1.
Anti-corrosion Material RF Used in Oil Well Cement;
油井水泥用RF抗腐蚀材料
2.
Analysis of influencing factors and preventive measures for RF field artifacts in MR images;
对MR图像RF磁场性伪影的分析及预防
3.
Experimental study on influence on lycopodii extracts to AA rat RF and Ig;
伸筋草提取物对AA大鼠RF及Ig影响的实验研究
6) RF-Ⅱ
RF-Ⅱ
1.
Application of RF-Ⅱ Pediclescrew System and Cage in Lumbar Spondylolisthesis;
RF-Ⅱ联合Cage在腰椎滑脱治疗中的临床研究
参考词条
rf SQUID
RF MEMS
RF-BJT
RF-MEMS
RF MOSFET
RF-MBE
RF管
RF卡
RF Modem
RF-IC
rf PECVD
RF EMF
RF IC
B-RF
RF-PCVD
感知器神经元
“新温州模式”
补充资料:Rf-COOH-Rf-SO3H 
分子式:
CAS号:
性质:又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时,将较薄的羧酸层面向阴极,较厚的磺酸层面向阳极,因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在,可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室,确保了高的电流效率(96%),因Rf-SO3层的电阻低,能在高电流密度下运行,且阴极液可用盐酸中和,产品氯气中氧含量低,氢氧化钠浓度可达33%~35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物,或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压,或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
CAS号:
性质:又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时,将较薄的羧酸层面向阴极,较厚的磺酸层面向阳极,因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在,可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室,确保了高的电流效率(96%),因Rf-SO3层的电阻低,能在高电流密度下运行,且阴极液可用盐酸中和,产品氯气中氧含量低,氢氧化钠浓度可达33%~35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物,或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压,或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。