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1)  dual material gate field effect transistor(DMG MOSFET)
异质双栅场效应晶体管
2)  bipolar photo gate FET
双极光栅场效应晶体管
3)  double gate MOSFET
双栅MOS场效应晶体管
4)  double-gate field effect transistor
双栅场效应晶体管
5)  dual gate field effect transistor
双栅场效晶体管
6)  grid field effect transistor
栅场效应晶体管
补充资料:异质结双极晶体管(heterojunctionbipolartransistor)
异质结双极晶体管(heterojunctionbipolartransistor)

简称HBT。将双极晶体管中的发射结做成异质结形成的晶体管称为异质结双极晶体管。双极晶体管中的异质结界面应做成突变结才能得到最高的少子注入效率。因为异质结宽带发射极的注入效率高,所以异质结双级晶体管的放大倍数将比同类型的普通双极晶体管高。如果不要求放大倍数十分高,则异质结注入比高的优点可利用来降低发射结的电容和基区的电阻,从而提高异质结双极晶体管的频率特性。如果将基区的组分做成渐变的形式,就相当于基区存在着一个等效电场,它将使注入的少子通过基区的渡越时间缩短,从而进一步提高异质结双极晶体管的频率响应。

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