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1)  post-nonlinear mixing signals
后非线性混叠信号
2)  Post nonlinear mixtures
后非线性混叠
3)  non-linear mixture
非线性混叠
1.
In this paper,the MISEP is mainly made use of separating helicopter gearbox signals in the non-linear mixture.
利用MISEP算法对直升机齿轮箱振动信号的非线性混叠进行了盲源分离,分离出了轴承故障振动信号,并将该方法应用于实际的飞机发动机的振动信号分析,分离结果表明MISEP盲源分离算法是机械故障诊断领域的一个有效的信号处理方法。
4)  signals aliasing
信号混叠
1.
In accordance with the method of FFT frequency analysis,the phenomenon of signals aliasing and leakiness at the turbine pressure fluctuation test is introduced.
通过对大量试验资料的分析 ,针对目前广泛使用的FFT分析法 ,介绍了在水轮机压力脉动试验过程中可能产生的信号混叠和信号频率泄漏现象 ,提出了在采用FFT分析时较为合理的信号采集方法。
5)  aliasing signal
混叠信号
1.
The seismic observation signal is equivalent to the linear aliasing signal taking above four elementary structure factors as signal source.
地震观测信号可等效地看成是地下地质体4个"基本结构因子"信号源的线性混叠信号,利用独立分量分析技术(ICA)可从混叠信号中提取出这些相互独立的信号源,从而可提取出隐含在地震观测信号中的含油气性(流体属性)和沉积相(骨架属性)等有用的信息。
6)  nonlinear signal
非线性信号
1.
A scheme of integrated filter with a serial circuit of median filtering and wavelet de-noising is designed for the nonlinear signal filtering.
设计了将中值滤波与小波消噪串联的混合滤波器对非线性信号进行滤波的方案。
补充资料:半导体非线性光学材料


半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials

载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场,从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温,导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外,极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段,可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中,载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应,使载流子能态分布量子化,并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍,因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外,外加电场很容易引起量子能态的显著变化,从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体,如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高,与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比,其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点,以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件,如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体,吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体,禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体,吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况,将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术,能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求,适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条