1) combined PVDF films
组合式压电薄膜
2) complex piezoelectric films
复合压电薄膜
1.
The progress for the high velocity SAW complex piezoelectric films SiO_2/ZnO/Diamond/Si was described,the manufacture methods and experimental results were presented in this paper.
本文阐述了高声速SAW复合压电薄膜材料SiO_2/Al/ZnO/IDT/金刚石/Si的研究进展情况,给出了该复合结构压电材料的制作方法和实验结果。
3) builtup film
组合薄膜
4) piezoelectric film
压电薄膜
1.
Research on PVDF Piezoelectric Film Sensor for Electronic Whiteboard;
用于电子白板的聚偏氟乙烯压电薄膜传感器的研究
2.
Based on the principle of phototeching technology,two different projects,namely positive resist protection and negative resist protection,are performed to realize the preparation of the golden electrodes with special shape and dimension on the PVDF piezoelectric film.
为了在聚偏二氟乙烯(PVDF)压电薄膜上得到特定形状和尺寸的金电极,利用光刻技术的基本原理,分别实施了2种制备方案,即正性胶保护法和负性胶保护法。
3.
The advantages of PVDF piezoelectric film are reviewed.
概述聚偏氟乙烯(PVDF)压电薄膜的优点,介绍国内外在材料研究和传感器件的研究、应用方面的进展,重点介绍国外PVDF压电传感器在工业自动化、医疗、冲击测试等方面的应用实例,以及国內材料研究、试验测试的进展情况。
5) piezoelectric films
压电薄膜
1.
Performance Improvement of PZT Piezoelectric Films;
PZT压电薄膜的改性研究
2.
Preparation and Growth Characteristics of Piezoelectric Films on Diamond Substrates;
金刚石基片上压电薄膜的制备及其生长特性研究
6) piezoelectric thin film
压电薄膜
1.
Finite element analysis of ZnO piezoelectric thin film acoustic sensor;
ZnO压电薄膜声传感器的有限元分析
2.
The structure and territory designments of PZT piezoelectric thin film micro-switch have been processed.
对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微开关进行了结构和版图设计,根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件,对多孔硅的选择性生长进行了较为详细的实验研究,最后成功的制备出硅基PZT压电薄膜做开关样品,这对集成化芯片系统的进一步发展打下了必要的良好的实验基础。
3.
Based on piezoelectric constitutive equation,a finite element model of piezoelectric thin film microsensor is established.
以压电本构方程为基础,建立了压电薄膜微传感器机电耦合的有限元模型,采用有限元分析软件ANSYS7。
补充资料：压电式压力
压电式压力传感器
来自 维客
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压电式压力传感器
piezoelectric type pressure transducer
基于压电效应的压力传感器。它的种类和型号繁多，按弹性敏感元件和受力机构的形式可分为膜片式和活塞式两类。膜片式主要由本体、膜片和压电元件组成（见图）。压电元件支撑于本体上，由膜片将被测压力传递给压电元件，再由压电元件输出与被测压力成一定关系的电信号(见压电式传感器)。这种传感器的特点是体积小、动态特性好、耐高温等。现代测量技术对传感器的性能出越来越高的要求。例如用压力传感器测量绘制内燃机示功图，在测量中不允许用水冷却，并要求传感器能耐高温和体积小。压电材料最适合于研制这种压力传感器。目前比较有效的办法是选择适合高温条件的石英晶体切割方法,例如xyδ（+20°～+30°）割型的石英晶体可耐350℃的高温。而linbo3单晶的居里点高达1210℃，是制造高温传感器的理想压电材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条