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1)  floating-gate MOS device
浮栅金属氧化物半导体器件
2)  floating-gate MOS
浮栅金属氧化物半导体
3)  floating gate transistor
浮栅金属氧化物半导体晶体管
4)  FGMOS Floating C Gate Metal C Oxide Semiconductor
浮动栅金属氧化物半导体(晶体管)
5)  floating gate avalanche injection mos
浮栅雪崩注入型金属氧化物半导体
6)  floating gate silicon process
浮栅硅金属氧化物半导体工艺
补充资料:N沟道金属-氧化物-半导体集成电路
      以 N沟道 MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路,简称NMOS。NMOS电路于1972年才研制成功。NMOS电路发展的主要困难,是在普通的工艺条件下NMOS电路所用的衬底材料P型硅表面容易自然反型或接近反型,因而难以制成作为开关元件的增强型MOS晶体管,而且元件之间也不易隔离。NMOS电路工艺比PMOS电路(见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路工艺复杂。一般情况下,NMOS电路采用性能良好的硅栅结构(见图)。衬底是轻掺杂的P型硅,栅的材料为多晶硅。一条多晶硅栅及其左右两个N型扩散区连同衬底组成一个N沟道 MOS晶体管。硅栅MOS结构中,铝线扩散线和多晶硅线均能作为内部联线,所以有三层布线。铝线同多晶硅线,铝线同扩散线可以交叉(如图左右两侧)。
  
  
  NMOS工艺的特点是:①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准,以减小寄生电容;②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉,既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度,又能降低片子表面台阶的高度,防止铝层断裂;③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
  
  硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位,使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍,NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电,且N沟道MOS晶体管阈值电压较低,所以NMOS电路可与TTL电路(见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容,而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快,其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
  
  

参考书目
   Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak-Sharpe,Integrated Circuit
  Engineering Design,Fabrication and Applications,1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
  

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